[发明专利]一种观察组件及其MOCVD设备有效

专利信息
申请号: 201811048997.2 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN108950522B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 袁素;李天芬;张金 申请(专利权)人: 南京苏博工业设计有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/46;C23C16/52;C30B25/10;C30B25/14;C30B25/16
代理公司: 北京华识知识产权代理有限公司 11530 代理人: 刘艳玲
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 观察 组件 及其 mocvd 设备
【说明书】:

本发明公开了一种观察组件及其MOCVD设备,包括,立板,立板底部与顶盖板装配固定、顶部与第一顶板装配固定,且立板侧面还分别与第二顶板、第三顶板、第四顶板装配固定,从而形成框架结构;第一顶板与油缸伸缩轴装配固定,第二顶板与第一顶板之间固定有升降电机,升降电机的升降输出轴穿过第二顶板后与升降驱动齿装配固定,升降驱动齿与升降中间齿啮合传动,升降中间齿与升降从动齿啮合传动,升降中间齿安装在升降中间轴上,升降中间轴两端分别与第二顶板、第三顶板可转动装配,升降从动齿设置在升降轴顶部;升降轴底部穿过第四顶板后与装配环可转动装配,装配环固定在顶盖板上,且升降轴与第四顶板通过螺纹旋合装配;第四顶板与观察柱顶部装配固定。

技术领域

本发明涉及一种气相外延生长技术,特别是涉及一种观察组件及其MOCVD设备。

背景技术

MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

目前MOCVD技术已经日趋成熟,其在进行气相外延时,对温度、气压等要求特别严格,目前主要是采用托盘带动衬底高速转动,然后在高温、真空、化学性质活泼的环境中生长,形成付作仔衬底上的一层膜。

在公开号为CN103628040A的中国专利中,公开了一种MOCVD设备和MOCVD加热方法,其指出,通过线圈感应对托盘进行加热的话,由于磁场稀疏分布,这就可能造成托板受热不均匀,也就导致最终成品存在不一致、瑕疵的情况。而在此专利中主要采用将托盘垂直于磁场线进行平移的方式进行解决,在实际应用时,这种方式无疑会大大增加设备结构、也就是增加前期制造成本和后期维护成本,总体来说优势并不突出。

因此,申请人提出一种观察组件及其MOCVD设备,其能够实现在托盘转动的同时还在水平方向上摆动,从而使得托盘不断穿梭于磁场稀疏、密集区,也就使得托板受热均匀,而且还不影响托盘转动,同时结构也比较简单,不会大大增加着成本。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种观察组件及其MOCVD设备。

为实现上述目的,本发明提供了一种观察组件,包括,立板,立板底部与顶盖板装配固定、顶部与第一顶板装配固定,且立板侧面还分别与第二顶板、第三顶板、第四顶板装配固定,从而形成框架结构;

第一顶板与油缸伸缩轴装配固定,第二顶板与第一顶板之间固定有升降电机,升降电机的升降输出轴穿过第二顶板后与升降驱动齿装配固定,升降驱动齿与升降中间齿啮合传动,升降中间齿与升降从动齿啮合传动,所述的升降中间齿安装在升降中间轴上,升降中间轴两端分别与第二顶板、第三顶板可转动装配,升降从动齿设置在升降轴顶部;

升降轴底部穿过第四顶板后与装配环可转动装配,装配环固定在顶盖板上,且升降轴与第四顶板通过螺纹旋合装配;所述的第四顶板与观察柱顶部装配固定。

优选地,所述的第四顶板上还固定有两块第一侧板、两块第二侧板,两块所述的第一侧板分别与绕线轴两端可转动装配,第二侧板与与之靠近的第一侧板分别与导向轴两端可转动装配;

所述的绕线轴一端与第一斜齿轮装配固定,第一斜齿轮与第二斜齿轮啮合传动,第二斜齿轮固定在绕线输出轴一端,绕线输出轴另一端穿过绕线隔板后与绕线电机装配。

优选地,绕线电机固定在绕线托板上,所述的绕线隔板、绕线托板分别与第四顶板装配固定;

绕线轴与拉线一端连接固定,且拉线可缠绕在绕线轴上,拉线另一端绕过导向轴后穿过顶盖、进入吹气通道,然后穿出吹气通道、绕过变向轴后与盖板一侧装配固定。

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