[发明专利]一种电子倍增器的结构及组装方法

权利要求书

1.一种电子倍增器的结构，其特征在于，包括下基板(1)、上基板主板(2)、上基板辅板(3)、打拿极组件(4)和收集极组件(5)，打拿极组件(4)和收集极组件(5)固定于下基板(1)和上基板主板(2)之间，上基板主板(2)上设有与打拿极组件(4)电连接孔对应的打拿极安装孔(21)，上基板主板(2)上表面设有平面型分压电阻(22)和平面型过渡电极(23)，平面型过渡电极(23)与打拿极安装孔(21)电连接导通，平面型分压电阻(22)与平面型过渡电极(23)部分重叠电连接，上基板辅板(3)固定于上基板主板(2)上端；下基板(1)和上基板主板(2)上均设有固定柱连接孔，下基板(1)和上基板主板(2)之间设有空心的支撑柱(7)，下基板(1)和上基板主板(2)通过螺栓组(6)固定连接，螺栓组(6)的螺栓穿过空心的支撑柱(7)，通过螺母锁紧，上基板辅板(3)通过螺栓组(6)固定于上基板主板(2)上端。

2.根据权利要求1所述的一种电子倍增器的结构，其特征在于，上基板辅板(3)上端设有用于紧固的六方柱支撑件。

3.根据权利要求1所述的一种电子倍增器的结构，其特征在于，打拿极组件(4)的管脚穿过打拿极安装孔(21)折弯设置于上基板主板(2)上端面，打拿极组件(4)的管脚位于上基板主板(2)上端面与上基板辅板(3)之间。

4.根据权利要求1所述的一种电子倍增器的结构，其特征在于，平面型分压电阻(22)为电阻膜层，其厚度为30nm～100μm，平面型过渡电极(23)的厚度为30nm～100μm。

5.一种基于权利要求1所述的电子倍增器的结构的组装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、首先在上基板主板(2)上表面制备平面型分压电阻(22)和平面型过渡电极(23)；

步骤2)、金属化处理上基板主板(2)上的打拿极安装孔(21)的内壁，使打拿极安装孔(21)的内壁与平面型过渡电极(23)导通；

步骤3)、采用孔对位的方式在下基板(1)上安装打拿极组件(4)和收集极组件(5)，同时安装支撑柱(7)和螺栓组(6)；

步骤4)、孔对位安装金属化处理后的上基板主板(2)，使打拿极组件(4)的管脚穿过打拿极安装孔(21)并折弯，然后通过上基板辅板(3)覆盖在上基板主板(2)上端，通过螺栓组(6)紧固，即可完成电子倍增器结构的组装。

6.根据权利要求5所述的电子倍增器的结构的组装方法，其特征在于，步骤1)中采用薄膜制备工艺在上基板主板(2)上表面制备平面型分压电阻(22)，采用蒸发、溅射、电镀和化学气相沉积工艺过程或者采用丝网印刷和浆料涂覆的厚膜制备工艺。

7.根据权利要求5所述的电子倍增器的结构的组装方法，其特征在于，步骤1)中，首选在上基板主板(2)的上表面借助掩模，蒸发制备电阻膜层，再蒸发制备过渡电极膜层，电阻膜层位于过渡电极膜层与上基板主板(2)之间，过渡电极膜层与电阻膜层有部分重叠；金属化处理打拿极安装孔(21)的内壁，使之与过渡电极膜层导通。

8.根据权利要求5所述的电子倍增器的结构的组装方法，其特征在于，先在上基板主板(2)的上表面借助掩模，蒸发制备过渡电极膜层；金属化处理打拿极安装孔的内壁，并与过渡电极膜层导通；然后，蒸发制备电阻膜层，电阻膜层位于过渡电极膜层与上基板主板(2)之上，过渡电极膜层与电阻膜层有部分重叠。

9.根据权利要求5所述的电子倍增器的结构的组装方法，其特征在于，先在上基板主板(2)的上表面采用厚膜工艺，制备过渡电极膜层，并使过渡电极膜层延伸到打拿极安装孔的内壁，然后用丝网印刷的厚膜工艺制备电阻膜层，过渡电极膜层与电阻膜层有部分重叠。