[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法在审
申请号: | 201811034107.2 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109524380A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 久保田觉史;有马博幸 | 申请(专利权)人: | 大口电材株式会社 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李平 |
地址: | 日本鹿*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体元件 半导体封装体 搭载用基板 凸部 焊锡连接 金属板 制造 镀层 外部设备 树脂密封体 密封树脂 外部连接 印刷基板 预定位置 成品率 电短路 端子部 目视 顶面 焊锡 渗出 去除 密封 背面 侧面 | ||
本发明提供半导体元件搭载用基板及其制造方法,通过从将搭载半导体元件的区域用密封树脂密封而成的树脂密封体去除金属板而制造,且用于由在背面侧露出的镀层构成的外部连接用端子与印刷基板等的外部设备连接的类型的半导体封装体的制造,其中,半导体封装体产品的成品率、生产率提高,能够应对小型化,而且可以目视焊锡连接部分,进一步地,也能够防止相邻的端子彼此的焊锡连接部分的因焊锡渗出而引起的电短路。该半导体元件搭载用基板在金属板(10)的一方侧具有比露出于半导体封装体的背面的端子尺寸小的多个凸部(11)和在从各个凸部的顶面(11a)到侧面(11b)及凸部的外侧的面的预定位置带台阶地形成的由镀层构成的多个端子部(12)。
技术领域
本发明涉及半导体元件搭载用基板及其制造方法,其通过从将搭载有半导体元件的区域用密封树脂密封而成的树脂密封体除去金属板而制造,且用于由在背面侧露出的镀层构成的外部连接用端子与印刷基板等外部设备连接的类型的半导体封装体的制造。
背景技术
为了在向电子相关设备装入半导体装置时,能够目视检查半导体装置的外部连接用端子与外部的电子相关设备的焊锡连接状态的良、不良,寻求焊锡连接部分的可视化。
然而,一直以来,外部连接用端子不突出至外周部的类型的半导体封装体为将以在背面侧露出的状态配列的多个外部连接用端子与印刷基板等外部设备连接的构造,因此难以目视检查是否正常进行了焊锡连接。
但是,若不能进行焊锡连接部分的目视检查,则焊锡连接作业时漏看内在的连接不良,在之后的通电检查等发现连接不良,这期间的作业成本浪费。另外,焊锡连接部分能够使用X射线装置进行透视检查,但是X射线装置的设备成本增大。
因此,一直以来,作为用于能够目视检查半导体封装体的焊锡连接部分的焊锡连接状态的良、不良的技术,例如,在下面的专利文献1提出了,通过在引线框架的引线的背面侧的成为外部连接用端子的端子部的切断位置形成横切引线的槽,从而在分别被切断时的露出于半导体封装体的背面的外部连接用端子直至端缘部而设置空间部,使空间部具有焊锡,从而能够从露出于半导体封装体的侧面的外部连接用端子的端缘部目视焊锡连接部分。
另外,例如,在下面的专利文献2记载了,在引线框架的背面设置凹部,对表面侧进行树脂密封后,从密封树脂侧对包含凹部的预定区域实施半切割加工,从而在设有凹部的部位形成通孔,然后以比半切割加工的宽度窄的宽度实施全切割加工,从而使外部连接用端子向侧方突出,在侧方的突出部设置用于能够目视焊锡连接部分的通孔、狭缝。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-294715号公报
专利文献2:日本特开2011-124284号公报
发明内容
发明所要解决的课题
近年来,以手机为代表,电子设备的小型、轻量化急速发展,用于这些电子设备的半导体装置也要求小型、轻量化、高功能化,特别是对于半导体装置的厚度,要求薄型化,逐渐取代使用对金属板进行加工而成的引线框架的半导体装置,研发最终去除金属板的类型的半导体封装体。
例如,在金属板的一方侧的面形成实施预定的图案而成的抗蚀掩膜,对从抗蚀掩膜露出的金属板实施电镀加工,形成半导体元件搭载用的焊盘部和由与半导体元件连接的内部连接用端子及用于与外部设备连接的外部连接用端子构成的端子部,然后,去除抗蚀掩膜,从而制造半导体元件搭载用基板。然后,在制造出的半导体元件搭载用基板搭载半导体元件,引线键合或倒装连接后,进行树脂密封,在树脂密封后去除金属板,使由镀层构成的焊盘部、端子部在密封树脂的背面露出,完成薄型的半导体封装体。
根据这种半导体封装体,焊盘部、端子部由壁厚比金属板薄的镀层形成,而且去除了金属板,因此能够进一减薄半导体封装体的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大口电材株式会社,未经大口电材株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811034107.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:一种微波组件及其制备方法