[发明专利]提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法在审

专利信息
申请号: 201811033382.2 申请日: 2018-09-05
公开(公告)号: CN109240619A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 陈杰智;曹芮;武继璇 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 三维 写入 存储区域 错误率 擦除 数据保持特性 数据存储区域 数据写入操作 待存储数据 存储单元 错误数据 动作操作 写入操作 写入数据 减小 架构
【权利要求书】:

1.一种提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:

基于三维架构NAND闪存存储器,在写入数据之前,预先对数据存储区域写入一组特殊数据后进行擦除,之后再执行数据写入操作;所述特殊数据分为两种形式,一种是与待存储数据完全相同的数据,一种是使存储单元相同状态的数据。

2.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:所述写入一组特殊数据后进行擦除,之后再执行数据写入操作,是把预写入特殊数据、擦除操作以及待存储数据的写入操作合并到一个连续性写入操作时序中,首先是特殊数据写入时序,其次是擦除时序,最后是待存储数据的写入时序。

3.根据权利要求2所述的连续性写入操作时序,其特征是:所述特殊数据写入和擦除的数据判定去除,以减少连续性写入操作时序所需时间。

4.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:所述使存储单元相同状态的数据是指通过编码LSB页、CSB页和MSB页,从而使每个存储单元的状态是相同的,而且这个状态是低阈值电压状态。

5.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:对于所述与待存储数据完全相同的数据,是选择任意没有使用过的存储区域,在该存储区域写入需要存储的数据,然后在该存储区域进行擦除操作,随后立即在该存储区域写入与上次相同的数据。

6.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:在数据写入时,根据数据分类来执行不同的写入命令,对于需求长时间保持特性的数据首先对预定存储区域进行预写入,其次对该区域擦除,其后才执行数据转移或数据写入操作。

7.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法,其特征是:在数据备份或转移时,首先对预定存储区域进行预写入,其次对该区域擦除,其后才执行数据转移或数据写入操作。

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