[发明专利]用于数字X射线检测器的阵列基板及其制造方法

说明书

一种用于数字X射线检测器的阵列基板可以包括：基底基板；被设置在基底基板上方的薄膜晶体管；正‑本征‑负(positive‑intrinsic‑negative，PIN)二极管，其包括电连接至薄膜晶体管的下电极、被设置在下电极上方的第一PIN层和被设置在第一PIN层上方的上电极；与PIN二极管间隔开的第二PIN层，第二PIN层被设置在薄膜晶体管上方；以及电连接至上电极的偏置电极。

技术领域

本公开内容涉及用于数字X射线检测器以在不使用额外的制造的情况下降低对薄膜晶体管(TFT)的损坏的阵列基板、包括该阵列基板的数字X射线检测器以及用于制造阵列基板的方法。

背景技术

随着数字技术的快速发展，最近已经开发了基于薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器，并且该数字X射线检测器迅速进入医疗应用。数字X射线检测器是指能够检测穿过对象的X射线的透射量(例如，透射率)并且在显示器上显示该对象的内部图像的设备。

通常，数字X射线检测器可以被分类成用于直接检测X射线的直接数字X射线检测器和用于间接检测X射线的间接数字X射线检测器。数字X射线检测器通常被设计成根据其尺寸或分辨率具有数千或数万个像素或者更多像素。图1是示出与在相关技术的间接数字X射线检测器中使用的单个像素对应的部分的示意性截面图。

通常，间接数字X射线检测器1可以包括被设置在基板10上方的薄膜晶体管20、连接至薄膜晶体管20的正-本征-负(positive-intrinsic-negative，PIN)二极管30以及被设置在PIN二极管30上方的闪烁体50。

当X射线被发射至数字X射线检测器时，闪烁体50将入射的X射线转换成可见光，以使得可见光被透射至设置在闪烁体50下方的PIN二极管30。PIN二极管30包括下电极31、PIN层33和上电极35。

PIN二极管30的上电极35通过形成在保护层40中的接触孔41连接至偏置电极45，并且偏置电极45将供电电压传输至PIN二极管30。

被施加至PIN二极管30的可见光在PIN层33中被重新转换成电子信号。电子信号在穿过连接至PIN二极管30的下电极31的薄膜晶体管20之后被转换成图像信号，以使得得到的图像信号被显示在显示器上。

薄膜晶体管20包括栅电极21、半导体层23、源电极25和漏电极27。具体地，薄膜晶体管20非常容易受到X射线的影响并且半导体层23特别容易受到影响，以使得薄膜晶体管20可能容易被X射线损坏。如果薄膜晶体管20被损坏，则数字X射线检测器1可能意外地发生故障，使得许多开发者和公司正在对用于最小化对薄膜晶体管20的损坏的各种方法进行深入研究。

尽管被形成为覆盖薄膜晶体管20的保护层也可以屏蔽和吸收X射线，但是X射线屏蔽和吸收效果是有限的。因此，为了改善对X射线的屏蔽和吸收效果，保护层40必须具有较大的厚度，使得数字X射线检测器1的整体厚度不可避免地增加。

发明内容

因此，鉴于上述问题作出了本公开，并且本公开的目的是提供一种用于数字X射线检测器以通过降低由X射线造成的薄膜晶体管(TFT)损坏来使数字X射线检测器的故障数最小化的阵列基板以及包括该阵列基板的数字X射线检测器。

本公开的另一目的是提供一种用于数字X射线检测器以使数字X射线检测器的厚度最小化并且具有优异的X射线屏蔽和吸收效果的阵列基板以及包括该阵列基板的数字X射线检测器。

本公开的另一目的是提供一种用于数字X射线检测器以通过在不使用额外的制造的情况下使由X射线造成的薄膜晶体管(TFT)损坏最小化来最大化制造效率的阵列基板、包括该阵列基板的数字X射线检测器以及用于制造该阵列基板的方法。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中领会其他目的和优点。此外，将容易理解，本公开的目的和优点可以通过本公开中所述的手段及其组合来实践。