[发明专利]用于数字X射线检测器的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于数字X射线检测器的阵列基板，所述阵列基板包括：

基底基板；

被设置在所述基底基板上方的薄膜晶体管，并且所述薄膜晶体管包括半导体层；

正-本征-负二极管，其包括电连接至所述薄膜晶体管的下电极、被设置在所述下电极上方的第一正-本征-负层以及被设置在所述第一正-本征-负层上方的上电极；

与所述正-本征-负二极管间隔开的第二正-本征-负层，所述第二正-本征-负层被设置在所述薄膜晶体管的所述半导体层上方并且至少覆盖所述半导体层的沟道区；以及

电连接至所述上电极的偏置电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括栅电极以及连接至所述半导体层的第一电极和第二电极，并且

其中，所述第一电极电连接至所述下电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第二正-本征-负层与所述栅电极交叠。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述下电极与所述栅电极间隔开而不与所述栅电极交叠。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述正-本征-负二极管与所述栅电极间隔开而不与所述栅电极交叠。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一正-本征-负层被设置在所述下电极的内侧处。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述下电极和所述第二正-本征-负层被设置在同一层上。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：

被设置在所述薄膜晶体管上方的第一保护层；

被设置在所述第一保护层上方的第二保护层；以及

被设置在所述第二保护层上方的第三保护层，

其中，所述第二保护层在所述第一保护层与所述第三保护层之间。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一正-本征-负层和所述第二正-本征-负层二者均嵌入在所述第二保护层中，并且

其中，所述第一正-本征-负层和所述第二正-本征-负层二者均被设置在所述第一保护层与所述第三保护层之间。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第二保护层的一部分将所述第一正-本征-负层与所述第二正-本征-负层分开，并且

其中，所述第一正-本征-负层和所述第二正-本征-负层二者均被设置在所述第一保护层与所述第三保护层之间。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述下电极比所述第一正-本征-负层宽。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述下电极的宽度等于所述第一正-本征-负层的宽度。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述下电极的宽度小于所述第一正-本征-负层的宽度。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述下电极的最外边缘与所述第一正-本征-负层的最外边缘之间的距离差小于或等于0.2μm。

15.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一正-本征-负层包括：

第一N型半导体层，

第一本征层，以及

第一P型半导体层，

其中，所述第二正-本征-负层包括：

第二N型半导体层，

第二本征层，以及

第二P型半导体层，并且

其中，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层包括相同的材料，所述第一本征层和所述第二本征层包括相同的材料，并且所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层包括相同的材料。