[发明专利]一种双电源控制多晶铸锭化料工艺在审
| 申请号: | 201811032155.8 | 申请日: | 2018-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN109137064A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 段金刚;明亮;王锋;周社柱;黄美玲;邱昊 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司;山西中电科新能源技术有限公司 |
| 主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;何文红 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化料 熔化 多晶铸锭 双电源 侧部加热器 顶部加热器 输出功率 籽晶层 化料过程 常规化 保留 硅料 可控 籽晶 制备 平坦 协调 | ||
本发明公开了一种双电源控制多晶铸锭化料工艺,采用开笼半熔工艺对硅料进行熔化,在熔化的不同阶段,控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n由0.3逐步向3.0调节,n=P1/P2,其中P1为顶部加热器的输出功率,P2为侧部加热器的输出功率。本发明双电源控制多晶铸锭化料工艺具有化料过程可控、安全性高、化料成本低廉、化料效率高等优点,适合于大规模制备,利于工业化生产,且相比常规化料工艺,本发明化料工艺所得籽晶层没有完全熔化,剩余籽晶层保留界面平坦,能够获得更大的籽晶保留面积。
技术领域
本发明属于多晶硅铸锭工艺领域,涉及一种双电源控制多晶铸锭化料工艺。
背景技术
多晶铸锭化料工艺包括闭笼全熔工艺和开笼半熔工艺。闭笼全熔工艺主要依靠底部做过特殊处理的高效坩埚(坩埚底部粗糙处理)来完成的,在坩埚底部粗糙面上首先形核,然后以坩埚粗糙面为形核面生长硅锭,其特点是硅料完全熔化,不必去考虑籽晶控制等问题,但此方法生长出的多晶硅锭电池效率低于开笼半熔工艺硅锭0.1%左右。开笼半熔工艺为目前行业内高效多晶铸造方法中最主流的一种,其工艺方法为在石英坩埚底部铺碎料籽晶层,熔化过程中控制籽晶层不被完全熔化,以此未熔完的碎料为籽晶生长均匀小晶粒的多晶硅。
目前,多晶硅铸锭炉加热器设计多为五面加热结构,在选定加热器材料尺寸固定后,顶部加热器和侧部加热器功率配比是一个固定的比例,一般情况顶部和侧部加热器功率配比为1:1。固定了顶侧配比的加热器,在铸锭过程不同阶段的温度场分布也是固定的。在进行开笼半熔化料工艺时,由于侧部加热器的功率是不可调节的,往往在籽晶熔化末期熔化界面比较凸,即坩埚中心位置籽晶厚度大于坩埚四边四角的厚度,且出现边角区籽晶没保留住的概率比较大,同时在长期使用后,加热器材料老化后,功率配比会发生变化,往往无法预测或把控温度场的变化,铸锭炉运行会表现出一些异常,如炉温变化大、熔化异常、排杂能力差等问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种化料过程可控、安全性高、化料成本低廉、化料效率高的双电源控制多晶铸锭化料工艺。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种双电源控制多晶铸锭化料工艺,采用开笼半熔工艺对硅料进行熔化,在熔化的不同阶段,控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n由0.3逐步向3.0调节,n=P1/P2,其中P1为顶部加热器的输出功率,P2为侧部加热器的输出功率。
上述的双电源控制多晶铸锭化料工艺,进一步改进的,所述熔化的不同阶段分为熔化前期、熔化中期和熔化末期;
所述熔化前期,控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n为1≥n>0.3,使控温热偶温度提升至1120℃;
所述熔化中期,控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n为3.0>n≥1,使控温热偶温度提升至1520℃~1560℃;
所述熔化末期,控制顶部加热器与侧部加热器的协调因子n为3.0≥n>1,待籽晶层的剩余厚度为1mm~30mm时,停止熔化。
上述的双电源控制多晶铸锭化料工艺,进一步改进的,所述熔化前期的持续时间为1h~4h。
上述的双电源控制多晶铸锭化料工艺,进一步改进的,所述熔化中期,在提升控温热偶温度的同时控制隔热笼的开度为0mm~50mm;所述熔化中期的持续时间为6h~9h。
上述的双电源控制多晶铸锭化料工艺,进一步改进的,所述熔化末期,在熔化过程中控制隔热笼的开度为1mm~60mm。
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