[发明专利]降低封装基板翘曲的方法及半成品结构在审
| 申请号: | 201811026567.0 | 申请日: | 2018-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN109786269A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | 蔡宜兴 | 申请(专利权)人: | 蔡宜兴 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 中国台湾高雄市80*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装基板 翘曲 半成品结构 激光切割 绝缘封胶层 备置步骤 激光装置 封装 切割 | ||
1.一种降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,包含步骤:
一备置步骤,提供一封装基板,所述封装基板具有一封装表面,其中所述封装表面形成有:多个预切割道,彼此交错排列;及多个置晶区,分别位于所述预切割道之间;
一封装步骤,将多个芯片分别设置在所述置晶区,并形成一封装胶体包覆所述芯片,使所述封装表面形成一绝缘封胶层;及
一激光切割步骤,对所述绝缘封胶层进行切割划线,而形成有至少三条第一切槽。
2.根据权利要求1所述的降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,在所述备置步骤中,所述封装基板的相对的一第一侧及一第二侧形成有多个第一定位圆孔,所述第一切槽分别对应所述第一定位圆孔排列。
3.根据权利要求2所述的降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,在所述封装步骤之后及在所述激光切割步骤之前另包含一定位步骤,以利用一摄影机拍摄所述第一定位圆孔的位置并进行所述封装基板的定位。
4.根据权利要求2所述的降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,在所述定位步骤中,当所述封装基板的定位完成时,透过一处理器加载所述芯片的位置参数,用以作为所述激光切割步骤中对所述绝缘封胶层进行切割划线的基准。
5.根据权利要求3所述的降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,在所述激光切割步骤之前及所述定位步骤之后另包含一基板整平步骤,以利用多个吸嘴吸引所述封装基板的封装表面或一下表面,使所述封装基板保持在一整平状态。
6.根据权利要求1所述的降低封装基板翘曲的方法,其特征在于,在所述激光切割步骤之后另包含一清洁步骤,利用一吸尘装置对所述第一切槽进行清洁。
7.一种降低封装基板翘曲的半成品结构,其特征在于,包含:
一封装基板,具有一封装表面,其中所述封装表面形成有:多个预切割道,彼此交错排列;及多个置晶区,分别位于所述预切割道之间;
多个第一定位圆孔,形成在所述封装基板的相对的一第一侧及一第二侧,其中位于所述封装基板的第一侧及第二侧的第一定位圆孔彼此相对应;及
一绝缘封胶层,形成在所述封装基板的封装表面上,其中所述绝缘封胶层形成有至少三条第一切槽,分别对应所述第一定位圆孔排列。
8.根据权利要求7所述的降低封装基板翘曲的半成品结构,其特征在于,所述降低封装基板翘曲的结构另包含多个第二定位圆孔,形成在所述封装基板的相对的一第三侧及一第四侧,其中位于所述封装基板的第三侧及第四侧的第二定位圆孔彼此相对应。
9.根据权利要求8所述的降低封装基板翘曲的半成品结构,其特征在于,所述绝缘封胶层另形成有至少三条第二切槽,分别对应所述第二定位圆孔排列,而且所述第一切槽与所述第二切槽相交。
10.根据权利要求9所述的降低封装基板翘曲的半成品结构,其特征在于,所述第一切槽及第二切槽分别与所述预切割道相对应排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





