[发明专利]电子设备及其制造方法

说明书

一种电子设备包括半导体存储器，其中所述半导体存储器包括：多个存储叠层，所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一内衬层，所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁，所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸；多个第一气隙，所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中，以及多个第二气隙，所述多个第二气隙位于在第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月11日提交的申请号为10-2017-0169415的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种存储器电路或者存储器件及其在电子器件中的应用。

背景技术

最近，随着电子设备趋向于小型化、低功耗、高性能、多样化等，已经需要能够在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子设备中存储信息的半导体器件。因此，已经进行了研究以开发具有开关特性(switching characteristics)的半导体器件，即能够通过根据施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换来存储数据的器件。具有开关特性的半导体器件的示例包括：电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电熔丝等等。

发明内容

本公开的各种实施例涉及一种包括具有改进的操作特性和可靠性的存储单元的电子设备以及用于制造该电子设备的方法。

根据一个实施例，电子设备可以包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：多个存储叠层，所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一内衬层，所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁，所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸；多个第一气隙，所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中；以及多个第二气隙，所述多个第二气隙位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸。

根据另一个实施例，一种电子设备可以包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：多个行线，所述多个行线在第一方向上延伸；多个列线，所述多个列线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个存储单元，所述多个存储单元分别位于所述行线和所述列线的交叉点处；绝缘层，所述绝缘层位于所述行线和所述列线之间，所述绝缘层覆盖所述存储单元的侧壁；多个第一气隙，所述多个第一气隙位于所述绝缘层中并且位于所述第二方向上彼此相邻的每对存储单元之间，所述第一气隙中的每一个具有隔离的岛形状；以及多个第二气隙，所述多个第二气隙位于所述绝缘层中并且位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储单元之间，所述第二气隙中的每一个具有在所述第二方向上延伸的线性形状。

根据另一个实施例，一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成层叠结构，形成穿通所述层叠结构并且在第一方向上延伸的多个第一沟槽，在所述第一沟槽的内壁上形成多个第一内衬层，在所述第一沟槽中形成多个牺牲图案，形成部分地穿通所述层叠结构并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第二沟槽，在所述第二沟槽的内壁上形成多个第二内衬层，所述第二内衬层部分地覆盖所述牺牲图案，通过向下延伸所述第二沟槽形成在所述第一方向和所述第二方向上彼此相邻的存储叠层，以及通过去除经由所述第二沟槽由所述第二内衬层覆盖的所述牺牲图案在由所述第二内衬层覆盖的空间中形成第一气隙。

附图说明

图1A和图1B是图示了根据本公开的一个实施例的电子设备的结构的图；

图2A至图2C是图示了根据本公开的一个实施例的电子设备的结构的视图；

图3A至图3E是图示了根据本公开的一个实施例的制造电子设备的方法的立体图；