[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电子设备，其包括：

半导体存储器，

其中，所述半导体存储器包括：

多个存储叠层，所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻，所述第二方向与所述第一方向交叉；

多个第一内衬层，所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁，所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸；

多个第一气隙，所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中；以及

多个第二气隙，所述多个第二气隙位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸，

其中，所述第一内衬层暴露出部分的所述多个存储叠层。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一气隙中的每一个具有隔离的岛形状，并且所述第二气隙中的每一个具有线性形状。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一内衬层暴露出所述多个存储叠层的下部。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二气隙中的每一个的中心位于比所述第一气隙中的每一个的中心更高的水平。

5.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

多个绝缘图案，所述多个绝缘图案位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个绝缘图案分别在第二方向上延伸并且包括第二气隙。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多个存储叠层中的每一个顺序地包括层叠在一起的下电极、开关材料、中间电极、可变电阻材料和上电极。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一内衬层中的每一个覆盖所述上电极的侧壁、所述可变电阻材料的侧壁以及所述中间电极的侧壁，并且暴露出所述开关材料的侧壁和所述下电极的侧壁。

8.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

多个第二内衬层，所述多个第二内衬层覆盖所述多个存储叠层的相对侧壁，所述相对侧壁在所述第二方向上彼此面对。

9.一种电子设备，其包括：

半导体存储器，

其中，所述半导体存储器包括：

多个行线，所述多个行线在第一方向上延伸；

多个列线，所述多个列线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

多个存储单元，所述多个存储单元分别位于所述行线和所述列线的交叉点处；

绝缘层，所述绝缘层位于所述行线和所述列线之间，所述绝缘层覆盖所述存储单元的侧壁；

多个第一气隙，所述多个第一气隙位于所述绝缘层中并且位于在所述第二方向上彼此相邻的每对存储单元之间，所述第一气隙中的每一个具有隔离的岛形状；

多个第二气隙，所述多个第二气隙位于所述绝缘层中并且位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储单元之间，所述第二气隙中的每一个具有在所述第二方向上延伸的线性形状，以及

覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储单元的侧壁的多个第一内衬层，所述多个第一内衬层在所述第二方向上并不连续、并隔离第一气隙。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述绝缘层包括：

多个绝缘图案，所述多个绝缘图案位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储单元之间，所述多个绝缘图案分别在所述第二方向上延伸并且包括所述第二气隙。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述存储单元中的每一个包括顺序层叠的下电极、开关材料、中间电极、可变电阻材料和上电极。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述第一内衬层中的每一个覆盖所述上电极的侧壁、所述可变电阻材料的侧壁以及所述中间电极的侧壁，并且暴露出所述开关材料的侧壁和所述下电极的侧壁。