[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

说明书

提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。

技术领域

本公开总地涉及电子领域，更具体地，涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。

背景技术

存储器件可以被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在没有提供电源时不能保持数据，非易失性存储器件即使在没有提供电源时也能够保持数据。

为了提高非易失性存储器件(具体地，闪存器件)的集成度，已经提出了三维存储元件。三维半导体存储元件可以包括垂直堆叠的存储单元和垂直沟道。

发明内容

根据本发明构思的一些实施方式，一种非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及垂直沟道结构，延伸穿过堆叠结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。

根据本发明构思的一些实施方式，制造非易失性存储器件的方法可以包括：在衬底上顺序地形成下绝缘膜和蚀刻停止膜以及在蚀刻停止膜上形成模结构。模结构可以包括以交替的顺序堆叠的多个牺牲膜和多个层间绝缘膜。所述方法还可以包括：形成延伸穿过模结构的沟槽以暴露蚀刻停止膜；依次蚀刻该蚀刻停止膜和下绝缘膜以形成沟道孔；在沟道孔中形成沟道结构；同时去除所述多个牺牲膜和蚀刻停止膜以形成多个开口；以及分别在所述多个开口中形成多个导电膜。沟道孔可以暴露衬底的上表面。

根据本发明构思的一些实施方式，非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及垂直沟道结构，延伸穿过堆叠结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜中的最靠近衬底的第一导电膜。第一导电膜可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且第一导电膜的上部的一侧可以具有与第一导电膜的下部的一侧的轮廓不同的轮廓。

根据本发明构思的一些实施方式，制造非易失性存储器件的方法可以包括：在衬底上顺序地形成下绝缘膜和蚀刻停止膜；以及在蚀刻停止膜上形成模结构。模结构可以包括以交替的顺序堆叠的多个牺牲膜和多个层间绝缘膜。所述方法还可以包括：形成延伸穿过模结构的沟槽以暴露蚀刻停止膜；形成在沟槽的内侧壁上和在蚀刻停止膜上延伸的电介质膜；依次蚀刻电介质膜的在蚀刻停止膜上的部分、蚀刻停止膜和下绝缘膜以形成沟道孔；在沟道孔中形成电介质材料；同时去除所述多个牺牲膜和蚀刻停止膜以形成多个开口；以及分别在所述多个开口中形成多个导电膜。沟道孔可以暴露衬底的上表面。

根据本发明构思的一些实施方式，制造非易失性存储器件的方法可以包括：形成叠层，该叠层包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多条栅线和多个绝缘层。所述多条栅线可以包括所述多条栅线当中的最靠近衬底的最下面的栅线。最下面的栅线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，最下面的栅线的下部的一侧相对于衬底的上表面具有第一角度，并且最下面的栅线的上部的一侧相对于衬底的上表面具有第二角度，并且第一角度大于第二角度。

附图说明

图1是根据本发明构思的一些实施方式的非易失性存储器件的截面图。

图2是根据本发明构思的一些实施方式的图1的部分A的放大图。

图3是根据本发明构思的一些实施方式的图1的部分A的放大图。

图4是根据本发明构思的一些实施方式的非易失性存储器件的截面图。

图5是图4的部分A的放大图。