[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；和

垂直沟道结构，延伸穿过所述堆叠结构，

其中所述多个导电膜包括所述多个导电膜当中的最靠近所述衬底的选择线，

其中所述选择线包括顺序堆叠在所述衬底上的下部和上部，并且

其中所述选择线的所述上部的一侧和所述选择线的所述下部的一侧具有不同的轮廓。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括：

电介质膜，在所述堆叠结构的侧壁上；

在所述电介质膜上的沟道膜，所述沟道膜在其中限定空间；和

在所述沟道膜上的填充膜，所述填充膜填充由所述沟道膜限定的所述空间。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中所述填充膜在所述衬底的上表面上延伸。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述选择线直接接触所述沟道膜。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述选择线的所述下部的所述一侧相对于所述衬底的上表面具有第一角度，并且所述选择线的所述上部的所述一侧相对于所述衬底的所述上表面具有第二角度，并且

其中所述第一角度大于所述第二角度。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括：接触所述选择线的所述下部的第一凹陷，和

接触所述选择线的所述上部的第二凹陷，并且

其中所述第一凹陷的第一深度不同于所述第二凹陷的第二深度。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述选择线的所述下部填充所述第一凹陷，并且所述选择线的所述上部填充所述第二凹陷。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述第一凹陷的所述第一深度大于所述第二凹陷的所述第二深度。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构包括在所述第一凹陷与所述第二凹陷之间的突起。

10.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述选择线包括在所述选择线的所述上部和所述下部之间的凹入部分。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述垂直沟道结构的下表面直接接触所述衬底的上表面。

12.一种制造非易失性存储器件的方法，该方法包括：

在衬底上依次形成下绝缘膜和蚀刻停止膜；

在所述蚀刻停止膜上形成模结构，所述模结构包括以交替的顺序堆叠的多个牺牲膜和多个层间绝缘膜；

形成延伸穿过所述模结构的沟槽以暴露所述蚀刻停止膜；

依次蚀刻所述蚀刻停止膜和所述下绝缘膜以形成沟道孔，所述沟道孔暴露所述衬底的上表面；

在所述沟道孔中形成沟道结构；

同时去除所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜以形成多个开口；以及

在所述多个开口中分别形成多个导电膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻停止膜相对于所述多个牺牲膜具有蚀刻选择性。

14.根据权利要求12所述的方法，其中同时去除所述多个牺牲膜和所述蚀刻停止膜包括：

在所述沟道结构的下部中形成第一凹陷，以及

在所述第一凹陷上形成第二凹陷。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一凹陷的第一深度大于所述第二凹陷的第二深度。