[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201811024607.8 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109256395B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李栋;田宏伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决现有的显示产品在实现窄边框和高分辨率的同时,存在的信号线的IR Drop增大,以及耐弯折性降低等问题。所述显示基板,包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域,所述显示区域和所述周边区域中的至少一个设置有信号线结构,所述信号线结构包括:异层设置、且并联在一起的至少两个信号线图形。本发明提供的显示基板用于形成显示面板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,窄边框、高分辨率的显示产品的市场需求逐步增长。而为了实现显示产品具有窄边框、高分辨率等特点,现有技术在制作显示产品时,一般会通过减小显示产品显示区域的布线面积和布线密度,来实现显示产品的高分辨率,并通过减小显示产品非显示区域的面积,来实现显示产品的窄边框。
这些方式虽然在一定程度上提升了显示产品的分辨率,缩小了显示产品的边框宽度,但是由于显示区域的布线面积和布线密度减小,以及非显示区域的面积减小,使得显示产品在其显示区域和非显示区域设置的信号线的宽度减小,而缩小信号线的宽度不仅会导致信号线的电阻压降(IR Drop)增大,影响显示产品的显示质量,而且还会导致显示产品的耐弯折性降低等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决现有的显示产品在实现窄边框和高分辨率的同时,存在的信号线的IR Drop增大,以及耐弯折性降低等问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域,所述显示区域和所述周边区域中的至少一个设置有信号线结构,所述信号线结构包括:异层设置、且并联在一起的至少两个信号线图形。
进一步地,所述周边区域设置有栅极驱动电路,当所述周边区域设置有所述信号线结构时,所述信号线结构中包括的所述至少两个信号线图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影与所述栅极驱动电路中的电子器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
进一步地,所述信号线结构包括两个信号线图形,其中一个所述信号线图形位于所述电子器件和所述衬底基板之间,另一个所述信号线图形位于所述电子器件背向所述衬底基板的一侧。
进一步地,所述至少两个信号线图形的延伸方向相同,且所述至少两个信号线图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠;沿所述至少两个信号线图形的延伸方向,在所述至少两个信号线图形的两端分别设置有连接通道,所述至少两个信号线图形中的相邻的信号线图形之间通过所述连接通道连接。
进一步地,所述连接通道包括设置在相邻的两个信号线图形之间的一个或多个过孔,当所述连接通道包括所述多个过孔时,在所述多个过孔中相邻的两个过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠,各所述过孔中填充有导电连接部,位于相邻的过孔中的所述导电连接部之间电连接。
进一步地,所述信号线图形和/或所述导电连接部,与所述显示基板中的其中一层导电膜层同层同材料设置。
进一步地,所述显示基板的显示区域设置有薄膜晶体管阵列,和位于所述薄膜晶体管阵列和所述显示基板的衬底基板之间的金属遮光图形,所述薄膜晶体管阵列中的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述金属遮光图形在所述衬底基板上的正投影的内部;
所述至少两个信号线图形中的一个信号线图形与所述金属遮光图形同层同材料设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的