[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明公布了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。所述方法包括：通过一次光罩制程形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层，在平行于基板的方向上，所述的半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度；经过一次光罩制程形成第一钝化层，并在第一钝化层上形成源极金属层、漏极金属层；形成与漏极金属层导通的像素电极层。本发明相对于现有的4光罩制程来说，半导体有源层的图案是直接根据光罩图案形成的，不依赖于其他层的图案，使得使用4光罩工艺也能做出在平行于基板的方向上，半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度的薄膜晶体管，减小了半导体有源层的宽度，显著改善掺硅层拖尾现象，从而改善残像影响，增强面板的信耐性。

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，更具体的说，是涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)显示要求高性能的薄膜工艺(TFT Device)。传统非晶硅薄膜晶体管(A-Si TFT)制程通常采用背沟道保护层蚀刻BCE(Back ChannelEtching)型结构，该结构成本相比蚀刻终止ES(Etching stop)型结构要低且工艺简单；但是由于BCE型结构的背沟道保护层Back Channel界面状态较差，TFT漏电较大。

传统的4掩膜(4-mask)技术是将5掩膜(5-mask)中的栅极绝缘层GIN与第二层金属层M2合并为一道mask掩膜制程,如图4a-图4e，其以第二金属层为保护层蚀刻半导体有源层、栅极绝缘层，使得半导体有源层的宽度等于甚至大于第二次金属层M2也就是后来形成的源极金属层、漏极金属层在一起的宽度，导致半导体有源层的宽度过大，甚至超出了栅极金属层的面积，容易产生较大的掺杂硅拖尾(AS tail),而更易造成显示屏图像残留问题(display panel RA image sticking(IS)issue)。

发明内容

本发明的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种改善掺硅层拖尾现象，改善残像影响的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上依次沉积第一金属基层、绝缘基层、半导体有源基层；

在半导体有源基层上方通过半色调掩膜光罩进行一次曝光，在半导体有源基层上方形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层，在平行于基板的方向上，所述的半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度；

在所述基板、所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方沉积第一钝化基层；

在所述第一钝化基层上方通过第一光罩形成第一钝化层，所述第一钝化层在对应源极金属层、漏极金属层的位置处分别形成有暴露半导体有源层的过孔；所述两个过孔之间的第一钝化基层为沟道保护层；所述沟道保护层覆盖所述半导体有源层上两个过孔间没有被所述源极金属层与所述漏极金属层遮挡的部分；

在所述第一钝化层上依次沉积第二金属基层及第二钝化基层；

在所述第二钝化基层上涂布光阻材料层，通过第二光罩对光阻材料进行图案化处理，先以涂布的光阻材料层为保护层蚀刻出所述第二钝化层的图案，再以形成的第二钝化层的图案为保护层，通过一次湿法蚀刻将所述第二金属基层蚀刻断开，形成所述源极金属层及漏极金属层，之后，清除光阻材料层；所述源极金属层、漏极金属层分别通过过孔与半导体有源层连通；所述第二钝化层在对应漏极金属层的上方形成接触孔以暴露漏极金属层；

在所述第二钝化层上沉积透明电极基层，并通过第三光罩形成像素电极层；所述像素电极层通过接触孔与所述漏极金属层连通。

一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在基板上依次沉积第一金属基层、绝缘基层、半导体有源基层；