[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在基板上依次沉积第一金属基层、绝缘基层、半导体有源基层；

在半导体有源基层上方通过半色调掩膜光罩进行一次曝光，在半导体有源基层上方形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层，在平行于基板的方向上，所述的半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度；

在所述基板、所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方沉积第一钝化基层；

在所述第一钝化基层上方通过第一光罩形成第一钝化层，所述第一钝化层在对应源极金属层、漏极金属层的位置处分别形成有暴露半导体有源层的过孔；所述两个过孔之间的第一钝化基层为沟道保护层；所述沟道保护层覆盖所述半导体有源层上两个过孔间没有被所述源极金属层与所述漏极金属层遮挡的部分；

在所述第一钝化层上依次沉积第二金属基层及第二钝化基层；

在所述第二钝化基层上涂布光阻材料层，通过第二光罩对光阻材料进行图案化处理，先以涂布的光阻材料层为保护层蚀刻出第二钝化层的图案，再以形成的第二钝化层的图案为保护层，通过一次湿法蚀刻将所述第二金属基层蚀刻断开，形成所述源极金属层及漏极金属层，之后，清除光阻材料层；所述源极金属层、漏极金属层分别通过过孔与半导体有源层连通；所述第二钝化层在对应漏极金属层的上方形成接触孔以暴露漏极金属层；

在所述第二钝化层上沉积透明电极基层，并通过第三光罩形成像素电极层；所述像素电极层通过接触孔与所述漏极金属层连通；

所述栅极绝缘层的宽度小于所述栅极金属层的宽度，所述栅极绝缘层与所述半导体有源层的侧边为平滑过渡，形成一梯形台的结构。

2.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在基板上依次沉积第一金属基层、绝缘基层、半导体有源基层；

在半导体有源基层上方通过一次光罩制程形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层，在平行于基板的方向上，所述的半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度；

在所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方经过一次光罩制程形成第一钝化层，并在第一钝化层上形成源极金属层、漏极金属层；

在所述第一钝化层上依次沉积第二金属基层及第二钝化基层；

在所述第二钝化基层上涂布光阻材料层，通过第二光罩对光阻材料进行图案化处理，先以涂布的光阻材料层为保护层蚀刻出第二钝化层的图案，再以形成的第二钝化层的图案为保护层，通过一次湿法蚀刻将所述第二金属基层蚀刻断开，形成所述源极金属层及漏极金属层；所述源极金属层、漏极金属层分别通过过孔与半导体有源层连通；所述第二钝化层在对应漏极金属层的上方形成接触孔以暴露漏极金属层；

形成与漏极金属层导通的像素电极层。

3.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的在半导体有源基层上方通过一次光罩制程形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层的步骤中，通过半色调掩膜光罩进行一次曝光，在半导体有源基层上方形成栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层，在平行于基板的方向上，所述的半导体有源层的宽度小于所述栅极金属层的宽度。

4.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述在所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方经过一次光罩制程形成第一钝化层，并在第一钝化层上形成源极金属层、漏极金属层的步骤中，还包括在所述的半导体有源层上未被所述源极金属层与所述漏极金属层遮挡的部分形成沟道保护层的步骤。

5.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述在所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方经过一次光罩制程形成第一钝化层，并在第一钝化层上形成源极金属层、漏极金属层的步骤中，包括以下步骤：

在所述基板、所述栅极金属层、所述栅极绝缘层以及所述半导体有源层上方沉积第一钝化基层；

在所述第一钝化基层上方通过第一光罩形成第一钝化层，所述第一钝化层在对应源极金属层、漏极金属层的位置处分别形成有暴露半导体有源层的过孔；所述两个过孔之间的第一钝化基层为沟道保护层；所述沟道保护层覆盖所述半导体有源层上两个过孔间没有被所述源极金属层与所述漏极金属层遮挡的部分。