[发明专利]流体控制组件及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201811021011.2 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN110873191B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 谢文杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: F16K1/22 分类号: F16K1/22;F16K1/42;F16K27/02;H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李玉锁;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 流体 控制 组件 及其 使用方法
【说明书】:

本申请部分实施例提供一种流体控制元件。流体控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流体控制元件还包括一阀座。阀座设置于第一固定座与第二固定座之间。流体控制元件也包括一阀体。阀体设置于阀座内并配置用以改变通过阀座的气体的流量。第一固定座包括一横向限位件。横向限位件与阀座沿一横轴方向排列且抵靠阀座。另外,阀座可移动于垂直横轴方向的一纵轴方向,且横向限位件限制阀座在横轴方向上的位移。

技术领域

发明实施例涉及一种流体控制元件及其使用方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用,例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料,并通过包括光刻(lithography)制程及微影制程等程序将各种材料层图案化,以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。通常数十个或数百个集成电路是在一个半导体晶圆上进行制造。

在集成电路制程中,随着对产量及良率与日渐增的需求,而发展出高度专业化与自动化的系统来传递晶圆。晶圆通常储存在卡匣(Cassette)内,且根据不同制程,例如溅镀(Sputtering)制程、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)制程、微影(Photolithography)制程、或蚀刻制程、化学电镀(ECP)制程、化学机械研磨(CMP)制程等,需不同反应室或反应槽。上述部分反应室或反应槽內,在晶圆進行加工時,需要過流體控制元件供應或是排除在反应室或反应槽內的氣體。。

虽然现有的流體控制元件已经足以应付其需求,然而仍未全面满足。因此,需要提供一种改善流體控制元件的方案。

发明内容

本发明部分实施例提供一种流体控制元件。流体控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流体控制元件还包括一阀座。阀座设置于第一固定座与第二固定座之间。流体控制元件也包括一阀体。阀体设置于阀座内并配置用以改变通过阀座的气体的流量。第一固定座包括一横向限位件。横向限位件与阀座沿一横轴方向排列且抵靠阀座。另外,阀座可移动于垂直横轴方向的一纵轴方向,且横向限位件限制阀座在横轴方向上的位移。

本发明部分实施例提供一种使用流体控制元件的方法。上述方法包括固定一第一固定座于一上游气体管道。上述方法还包括固定一第二固定座于一下游气体管道。上述方法也包括移动一阀座进入位于第一固定座与第二固定座之间的一固定位置。第一固定座包括一横向限位件。横向限位件与阀座沿一横轴方向排列且抵靠阀座。在阀座移动进入位于第一固定座与第二固定座之间的固定位置的过程中,横向限位件限制阀座在横轴方向上的位移。

附图说明

图1显示根据本发明部分实施例的加工系统的示意图。

图2显示根据本发明部分实施例的加工系统的部分的示意图。

图3显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的部分的爆炸图。

图4显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的部分的上视图。

图5显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的部分在图8中A-A截线的剖面图。

图6显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的使用方法的流程图。

图7显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的使用方法中的一步骤的示意图。

图8显示根据本发明部分实施例的流体控制组件的使用方法中的一步骤的示意图。

附图标记说明:

1 加工系统

10 晶圆

20 托架

40 楼地板

50a、50b、50c

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