[发明专利]用于发光装置的背板、发光装置及其封装方法有效
申请号: | 201811019825.2 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109378324B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 杜勇 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军;糜婧 |
地址: | 310052 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发光 装置 背板 及其 封装 方法 | ||
本发明公开了用于发光装置的背板、发光装置及其封装方法。其中该背板包括基板以及设置在基板上的多个像素界定结构,各像素界定结构界定形成多个上端开口的像素区域,像素界定结构包括外层以及设置在外层内部的填充层,外层的材料为树脂材料,填充层的材料为无机材料、金属材料中的一种或组合。本发明使用非树脂材料代替树脂材料填充在像素界定结构内,在不影响像素界定结构使用功能的前提下,减少了树脂材料的使用,从而有利于减少制作像素界定结构时的烘烤时间,从而减少烘烤对其他元件的影响,此外,像素界定结构吸附的溶剂也会减少,因此有利于减少溶剂对设置在背板上的功能层和/或发光层的影响。
技术领域
本发明涉及电致发光器件领域,尤其涉及用于发光装置的背板、发光装置及其封装方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)和高分子发光二极管(PLED)因其具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点,有可能成为今后显示领域的主流。OLED(或PLED)包括基板、ITO(铟锡氧化物)阳极、发光层和阴极等,其发光原理为:电压作用下,空穴与电子在发光层复合掉到较低的能带上,放出能量与能隙相同的光子,其波长取决于发光层的能隙大小。
发光层的制作通常采用打印技术,将液态的发光材料铺满特定的像素区域。如图1所示,在基板1A上设置多个像素界定结构2A,各个像素界定结构2A界定多个像素区域3A。
目前,制作像素界定结构的常用材料是聚酰亚胺,其在制作过程中需要经过低温预烘和高温主烘,烘烤时间较长,这对电致发光器件的基板以及TFT元件的损害较大;此外,聚酰亚胺制作的像素界定结构在进行打印工艺时,可能吸附水分或其他溶剂,对电致发光器件的每层(如功能层和发光层)的打印工艺造成氛围影响;聚酰亚胺制作的像素界定结构在器件封装后,在器件长时间点亮过程中挥发溶剂或其它物质,致使像素亮度开口率降低,影响寿命。
另外,OLED的各个功能层打印完成后,需要进行封装,常见的封装方法有紫外固化框封胶以及Frit激光封胶,但是现有的封装工艺对于电视用的大面板封装工艺困难,主要是基板尺寸较大,封装过程中基板容易脱落。薄膜封装工艺虽然可以解决大面板封装困难的问题,但是薄膜封装的设备和工艺复杂,成本高,容易受颗粒物的影响,需要在无尘环境下进行。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的一个目的在于提供一种用于发光装置的背板,其包括基板以及设置在基板上的像素界定结构,该像素界定结构的制作无需长时间的烘烤,可以减少像素界定结构制作对其他元件的损害。
本发明的另一个目的在于提供一种用于发光装置的背板,其包括基板以及设置在基板上的像素界定结构,该像素界定结构的溶剂吸附相对于现有技术更少,且容易去除,有利于减少溶剂对其他功能层的影响。
为实现以上目的,本发明提供一种用于发光装置的背板,包括基板以及设置在所述基板上的多个像素界定结构,各所述像素界定结构界定形成多个上端开口的像素区域,所述像素界定结构包括外层以及设置在所述外层内部的填充层,所述外层的材料为树脂材料,所述填充层的材料为无机材料、金属材料中的一种或组合。
根据一个优选实施方式,所述填充层包括由内到外依次设置的第一填充层和第二填充层,所述第一填充层的材料为金属材料,所述第二填充层的材料为无机材料。
进一步地,所述第一填充层的厚度小于1μm,所述第二填充层的厚度为400~1500nm。
根据另一个优选实施例方式,所述填充层的材料为无机材料。
进一步地,所述外层包括用于界定所述像素区域的侧面界定部以及连接各所述侧面界定部上端的顶部,所述顶部具有凹槽,所述凹槽的底面为所述填充层的外侧,所述填充层外侧的材料为无机材料。
进一步地,所述填充层外侧的无机材料为绝缘的无机氧化物或氧化物,更优选地,所述填充层外侧的无机材料选自二氧化硅、氮化硅、氮化硼、氧化锆、氧化铝中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的