[发明专利]光刻设备、抗气流扰动的方法及装置有效
申请号: | 201811014164.4 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN110874021B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 刘伟;刘剑 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 气流 扰动 方法 装置 | ||
本发明提供了一种光刻设备、抗气流扰动的方法及装置。抗气流扰动的装置包括:抗气流扰动组件,位于光栅尺测量组件远离运动台的一侧,用于当运动台相对光栅尺测量组件运动时,执行所述抗气流扰动操作。本发明提供的光刻设备、抗气流扰动的方法及装置中,光栅尺测量组件的测量精度较高,最终形成的半导体器件的性能较好。
技术领域
本发明涉及光刻设备,特别涉及一种光刻设备、抗气流扰动的方法及装置。
背景技术
在半导体制造过程中,一般需要运用到光刻机来完成一系列复杂而耗时的光刻工艺。
现有技术中,光刻机一般包括有运动台、测量系统以及投影物镜,其中,运动台主要包括硅片台和掩膜台,其中硅片台主要用于承载硅片。测量系统主要用于计算运动台的运动参数,以使得硅片台基于该运动参数携带硅片在投影物镜下完成与掩膜台相匹配的曝光运动,从而使得硅片上涂覆的光刻胶层形成相应的图案。
但是,当硅片台和掩膜台运动时,会在其运动区域形成气流冲击,使得测量系统区域形成不均匀压力场,则会使得测量系统中的平面光栅发生位置偏移,从而会影响测量系统的测量精度,进而影响到最终形成的半导体器件的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光刻设备、抗气流扰动的方法及装置,以解决现有的光刻设备中测量系统的测量精度不高的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种抗气流扰动装置,包括抗气流扰动组件,设置在一光栅尺测量组件上并用于对所述光栅尺测量组件执行抗气流扰动操作,以及所述光栅尺测量组件和一运动台相对设置,所述光栅尺测量组件用于测量所述运动台的运动参数,所述抗气流扰动组件位于所述光栅尺测量组件远离所述运动台的一侧,所述抗气流扰动操作包括增加或减少所述抗气流扰动组件在面对所述运动台的方向上的长度;
其中,当所述运动台相对所述光栅尺测量组件运动时,所述光栅尺测量组件受到的气流压力发生变化,所述抗气流扰动组件执行所述抗气流扰动操作,以对所述光栅尺测量组件施加作用力,用于抵抗所述光栅尺测量组件由于受到的气流压力的变化而产生的位置偏移。
可选的,所述抗气流扰动组件包括主动阻尼器,所述主动阻尼器在执行所述抗气流扰动操作时,所述主动阻尼器在面对所述运动台的方向上的长度增加或减少,以抵制所述光栅尺测量组件由于受到的气流压力的变化而产生位置偏移。
可选的,还包括:同步控制器,所述同步控制器连接所述运动台和所述抗气流扰动组件,用于当所述运动台运动时,同步指示所述抗气流扰动组件执行所述抗气流扰动操作。
可选的,所述抗气流扰动装置还包括抗气流扰动控制器,所述抗气流扰动控制器用于指示所述抗气流扰动组件执行抗气流扰动操作;以及,所述运动台与一运动台控制器连接,以利用所述运动台控制器指示所述运动台运动;
其中,所述同步控制器分别与所述抗气流扰动控制器和所述运动台控制器连接,所述同步控制器用于向所述抗气流扰动控制器和所述运动台控制器发送同步控制时序信息,以便所述运动台控制器根据所述同步控制时序信息指示所述运动台运动的同时,所述抗气流扰动控制器根据所述同步控制时序信息同步指示所述抗气流扰动组件执行抗气流扰动操作。
可选的,所述抗气流扰动装置还包括整机控制器,所述整机控制器与所述抗气流扰动控制器、所述运动台控制器和所述光栅尺测量组件均连接;
所述整机控制器用于接收所述光栅尺测量组件发送的所述运动参数,并将所述运动参数分别发送至所述抗气流扰动控制器和所述运动台控制器,以使所述运动台控制器基于所述运动参数指示所述运动台运动,以及所述抗气流扰动控制器基于所述运动参数指示所述抗气流扰动组件执行抗气流扰动操作。
可选的,所述光栅尺测量组件包括平面光栅和光栅安装板,并且所述平面光栅面对所述运动台,所述光栅安装板位于所述平面光栅背离所述运动台的一侧。
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