[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201811010973.8 | 申请日: | 2018-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN110875212B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 冯传彰;赖志讳 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于;所述基板处理装置包含:
储液槽,适用于储存并供应处理液;
输送单元,用于输送所述处理液,所述输送单元包括至少一连通于所述储液槽的分液管路;以及
多个处理单元,分别连通于所述分液管路,每一处理单元包括处理室、连通于所述分液管路与所述处理室之间的输出管路,以及设置于所述输出管路以驱动所述处理液流至所述处理室的输出泵,其中,每一输出泵的设置高度低于所述储液槽的设置高度且相差一高度差,且所述高度差使流入所述输出泵的所述处理液具有小于所述输出泵的最大输入压力的液压,
其中,所述基板处理装置还包含连通于所述分液管路且用于接收所述分液管路中未流至所述处理单元的处理液的回收槽。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:每一处理单元还包括设于所述输出管路且与所述输出泵电性连接的流量控制模块,所述流量控制模块用于感测介于所述输出泵与所述处理室之间的所述处理液的流量,并根据所述流量控制所述输出泵的转速以使流至所述处理室的所述流量维持预设流量值。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:所述处理单元的流量控制模块的预设流量值能够独立地被设定。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:每一处理单元还包括设于所述输出管路且介于所述输出泵与所述处理室之间的流道切换阀,以及连通于所述流道切换阀与所述输送单元之间的回收管路,所述流道切换阀能在使所述处理液经由所述输出管路流至所述处理室的输出状态,以及使所述处理液经由所述回收管路回收利用的回收状态之间转换。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:所述输送单元还包括连通于所述回收管路与所述回收槽之间并用于使所述回收管路内的处理液流至所述回收槽的集液管路。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:所述输送单元还包括连通于所述回收槽与所述储液槽之间的储液管路,以及设于所述储液管路且用于使所述回收槽的处理液流至所述储液槽的储液泵。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于:所述分液管路的管径大于所述储液管路的管径。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:每一处理单元还包括设于所述输出管路偏靠所述处理室的一端的输出控制模块,所述输出控制模块能控制所述处理液经由所述输出管路输出的状态。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于:当所述输出控制模块于防止所述处理液输出的状态时,所述流道切换阀在回收状态,以使所述处理液朝所述回收管路流动。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:所述分液管路的管径大于所述处理单元的输出管路的管径。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:所述输送单元具有多个连通于所述储液槽的分液管路,所述处理单元连通于相对应的分液管路。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:所述输出泵的设置高度相同。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:至少一所述处理单元的所述输出泵设置高度低于所述储液槽的设置高度且相差一第一高度差,至少另一所述处理单元的所述输出泵设置高度低于所述储液槽的设置高度且相差一第二高度差。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:还包含设于所述分液管路且用于排出所述分液管路内的气体的排气单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





