[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审

申请号：	201811003195.X	申请日：	2018-08-30
公开（公告）号：	CN109560009A	公开（公告）日：	2019-04-02
发明（设计）人：	相泽聪;岩城洋人	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/677
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军;李文屿
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	衬底收容器开闭衬底处理装置气体导入机构半导体器件开闭机构载置部移载监视衬底保持件收纳颗粒附着压力维持晶盒晶片载置闸门制造置换
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【说明书】：

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种当晶盒盖开闭时，防止颗粒附着于晶片上的构成，其具备：载置收纳衬底的衬底收容器的载置部；构成将衬底收容器的盖开闭的盖开闭空间的引导部；将盖开闭空间与移载室分离，移载室在衬底收容器与保持衬底的衬底保持件之间搬送衬底的闸门部；设置于盖开闭空间，并将衬底收容器的盖开闭的盖开闭机构；向被载置于载置部的衬底收容器导入气体的气体导入机构；监视部，其利用该气体导入机构而将气体导入衬底收容器，从而置换衬底收容器内的气体，并且调节压力；控制部，其构成为一边利用监视部而将衬底收容器内的压力维持为高于盖开闭空间的压力，一边利用盖开闭机构而将衬底收容器的盖打开。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

迄今为止，已经开展了向晶盒(FOUP：Front Opening Unified Pod)(以下，称为“晶盒”)内供给非活性气体的工作。例如，根据专利文献1，其中记载了向晶盒内供给非活性气体的构成，根据专利文献2，其中记载了向晶盒内供给非活性气体的构成、及对所供给的非活性气体的流量进行监视的构成。

另外，利用非活性气体的供给来置换晶盒内部的气氛，从而防止自然氧化膜、脱气(out gas)的附着。然而，尚未能防止当晶盒开闭机构动作时产生的颗粒附着于衬底(晶片)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-340641号公报

专利文献2：日本特开2015-029057号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供当晶盒盖开闭时防止颗粒附着于晶片上的构成。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种构成，其具备：载置部，其载置收纳衬底的衬底收容器；引导部，其构成将衬底收容器的盖开闭的盖开闭空间；闸门部(gate member)，其将盖开闭空间与移载室分离，所述移载室在衬底收容器与保持衬底的衬底保持件之间搬送衬底；盖开闭机构，其设置于盖开闭空间，并将衬底收容器的盖开闭；气体导入机构，其向被载置于载置部的衬底收容器导入气体；监视部，其利用该气体导入机构而将气体导入衬底收容器，从而置换衬底收容器内的气体，并且调节压力；控制部，其构成为一边利用监视部而将衬底收容器内的压力维持为高于盖开闭空间的压力，一边利用盖开闭机构而将衬底收容器的盖打开。

发明效果

根据本发明，当晶盒的盖开闭时，能够防止颗粒附着于被收容在晶盒内部的晶片。

附图说明

图1：为本发明的一个实施方式中合适使用的衬底处理装置的斜立体图。

图2：为本发明的一个实施方式中合适使用的衬底处理装置的侧面立体图。

图3：为本发明的一个实施方式中合适使用的衬底处理装置的处理炉的纵剖面图。

图4：为本发明的一个实施方式中合适使用的衬底处理装置的控制器构成图。

图5：为用于说明本发明的一个实施方式中合适使用的气体导入机构的图。

图6A：为本发明的一个实施方式中合适使用的气体导入机构的密封部详细图。

图6B：为本发明的一个实施方式中合适使用的气体导入机构的密封部详细图。

图7A：为对本发明的一个实施方式中合适使用的盖开闭系统的动作进行说明的图。

图7B：为对本发明的一个实施方式中合适使用的盖开闭系统的动作进行说明的图。