[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.衬底处理装置，其具备：

载置部，其载置收纳衬底的衬底收容器；

引导部，其构成将所述衬底收容器的盖开闭的盖开闭空间；

闸门部，其将所述盖开闭空间与移载室分离，所述移载室在所述衬底收容器与保持所述衬底的衬底保持件之间搬送所述衬底；

盖开闭机构，其设置于所述盖开闭空间，并将所述衬底收容器的所述盖开闭；

气体导入机构，其向被载置于所述载置部的衬底收容器导入气体；

监视部，其利用所述气体导入机构而将所述气体导入所述衬底收容器，从而置换所述衬底收容器内的气体，并且提高压力；和

控制部，其构成为一边利用所述监视部而将所述衬底收容器内的压力维持为高于所述盖开闭空间的压力，一边利用所述盖开闭机构而将所述衬底收容器的盖打开。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体导入机构构成为将所述衬底收容器内置换为所述非活性气体气氛。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为利用所述气体导入机构将所述气体导入所述衬底收容器，从而将所述衬底收容器内的压力维持在比所述移载室的压力大的压力。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为当所述衬底收容器被载置于所述载置部时，利用所述气体导入机构将所述气体导入所述衬底收容器，从而使所述衬底收容器内的压力大于所述移载室的压力。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还具有以下述方式构成的控制部：在利用所述闸门部而将所述移载室与所述盖开闭空间隔离后，一边使所述衬底收容器内的压力高于所述移载室及所述盖开闭空间的压力，一边使所述闸门部滑动。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为在利用所述闸门部而将所述移载室与所述盖开闭空间分离后，打开所述衬底收容器的盖。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备排气机构，所述排气机构设置于利用所述盖开闭机构将所述盖取下的衬底收容器的附近，并且将所述盖开闭空间的气氛排气，

所述控制部构成为当将所述衬底收容器的盖打开时，形成被所述气体导入机构供给的所述气体从所述衬底收容器向所述排气机构的方向流动的流路。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备移载装置，所述移载装置在利用所述盖开闭机构而将所述盖取下了的衬底收容器与衬底保持件之间搬送所述衬底，

所述移载装置构成为在所述闸门部移动至规定位置即初始位置后，开始所述衬底收容器内的所述衬底的搬送。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体导入机构构成为将所述盖开闭空间置换为所述非活性气体气氛。

10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体导入机构包括：

控制气体的流量的流量控制器；

构成气体的流路的气体配管；

向所述衬底收容器导入气体的气体导入部；

吹扫气体供给部，其包含将所述气体导入部与所述衬底收容器相对于外部密闭的密封部；和

调节所述衬底收容器内的压力的调节部。

11.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，所述密封部构成为设置将所述气体导入部与所述衬底收容器密闭的密封件、和保持所述密封部的保持部。

12.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其还具有处理炉，所述处理炉构成为将所述衬底保持件在保持有所述衬底的状态下装入，并处理所述衬底。

13.半导体器件的制造方法，其具有：

载置衬底收容器的工序，其中，所述衬底收容器收纳衬底；

将盖开闭空间与移载室分离的工序，其中，所述盖开闭空间将所述衬底收容器的盖开闭，所述移载室在所述衬底收容器与保持所述衬底的衬底保持件之间搬送所述衬底；

将所述衬底收容器的所述盖打开的工序；

在所述盖被打开了的所述衬底收容器与所述衬底保持件之间移载所述衬底的移载工序；和

将所述衬底保持件在保持有所述衬底的状态下装入，并对所述衬底进行处理的处理工序，

其中，在载置所述衬底收容器的工序中，

将所述气体导入所述衬底收容器，从而置换所述衬底收容器内的气体并且提高压力，

在打开所述盖的工序中，

构成为一边将所述衬底收容器内的压力维持为高于所述盖开闭空间的压力，一边利用所述盖开闭机构将所述衬底收容器的盖打开。