[发明专利]存储器设备及其操作方法

说明书

本申请涉及存储器设备及其操作方法。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一些包含与介电材料的第一群组交错的导电材料的第一群组、延伸穿过导电材料的第一群组和介电材料的第一群组的第一柱、沿第一柱定位的存储器单元、耦合到导电材料中的一个的导电触点，以及延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组的第二柱。所述第二柱包含耦合到导电区的第一部分、第二部分和第三部分，以及耦合到导电触点的第四部分。所述第二部分位于第一和第三部分之间。所述第二部分具有小于第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。

技术领域

本申请涉及存储器设备以及用于操作存储器设备的方法。

背景技术

存储器装置广泛地用于计算机、蜂窝式电话和许多其它电子项目中。常规的存储器装置(例如，3D(三维)快闪存储器装置)具有许多存储器单元以存储信息。存储器装置具有导电线和电路以将电压提供到导电线以便在不同存储器操作期间存取存储器单元。此类电路通常包含驱动器(例如，开关)以将来自电压源的电压传递到相应的导电线。一些存储器操作可使用相对高的电压(例如，存储器装置的操作电压的10到20倍)。许多常规的驱动器被设计成维持此类高压。然而，一些存储器装置可在它们的一些操作中使用甚至更高的电压。此类更高的电压可使得一些常规的驱动器不可靠。设计驱动器以支持此类更高的电压可能给与常规的驱动器相关联外围电路添加复杂度。

发明内容

在一个方面中，本申请提供一种设备，所述设备包括：导电材料的第一群组，其与介电材料的第一群组交错；第一柱，其延伸穿过所述导电材料的第一群组和所述介电材料的第一群组；存储器单元，其沿所述第一柱定位；导电触点，其耦合到所述导电材料的第一群组的导电材料；以及第二柱，其延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组，所述第二柱包含第一部分、第二部分和第三部分，以及第四部分，所述第二和第三部分位于所述第一和第四部分之间，并且所述第二部分位于第一和第三部分之间，其中所述第一部分耦合到导电区，以及所述第四部分耦合到导电触点，并且所述第二部分具有小于所述第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。

在另一方面中，本申请提供一种设备，所述设备包括：导电材料的第一群组，其与介电材料的第一群组交错；第一柱，其延伸穿过所导电材料的第一群组和所述介电材料的第一群组；存储器单元，其沿所述第一柱定位；导电触点，其耦合到所述导电材料的第一群组的导电材料；以及第二柱，其延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组，所述第二柱包含介电质部分、第一部分和第二部分，并且所述第一部分位于所述介电质部分和所述第二部分之间，其中所述介电质部分接触导电区，以及所述第二部分耦合到所述导电触点。

在另一方面中，本申请提供一种方法，所述方法包括：施加电压到存储器装置的数据线，所述数据线耦合到包含沿第一柱定位的存储器单元的存储器单元串和字线以存取所述存储器单元；施加电压的集合到与耦合在导电区与所述字线当中的字线之间的第二柱相关联的控制栅极的群组，其中在所述控制栅极的群组当中所述控制栅极的群组的第一控制栅极最接近于所述导电区，并且第二控制栅极最接近于所述字线，并且施加所述电压的集合包含：施加所述电压的集合的第一电压到所述第一控制栅极，所述第一电压具有第一值；以及施加所述电压的集合的第二电压到所述第二控制栅极，所述第一电压具有不同于所述第一值的第二值。

附图说明

图1示出了根据本文中描述的一些实施例的呈存储器装置的形式的设备的方块图。

图2示出了根据本文中描述的一些实施例的包含存储器单元串和驱动器(例如，驱动器电路)的存储器装置的一部分的方块图。

图3示出了根据本文中描述的一些实施例的图2的存储器装置的一部分的结构的侧视图。

图4示出了根据本文中描述的一些实施例的图3的存储器装置的部分的结构的俯视图。

图5示出了根据本文中描述的一些实施例的图2、图3和图4的存储器装置的驱动器的一部分的结构。