[发明专利]存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

导电材料的第一群组，其与介电材料的第一群组交错；

第一柱，其延伸穿过所述导电材料的第一群组和所述介电材料的第一群组；

存储器单元，其沿所述第一柱定位；

导电触点，其耦合到所述导电材料的第一群组的导电材料；以及

第二柱，其延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组，所述第二柱包含第一部分、第二部分和第三部分，以及第四部分，所述第二和第三部分位于所述第一和第四部分之间，并且所述第二部分位于第一和第三部分之间，其中

所述第一部分耦合到导电区，以及

所述第四部分耦合到导电触点，并且所述第二部分具有小于所述第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第二部分是掺杂多晶硅。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一部分具有第一长度、所述第二部分具有第二长度，并且所述第二长度大于所述第一长度。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第一长度在垂直于所述导电材料的第一群组的方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中第二部分具有大于150纳米的粒度。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三部分具有小于所述第二部分所述浓度的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三部分是掺杂多晶硅。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三部分是未掺杂多晶硅。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中存储器单元位于在衬底与所述第二柱之间的所述设备的层级中。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述导电材料的第二群组是多晶硅。

11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述导电材料的第二群组是金属。

12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三部分包含围绕第一介电质的多晶硅。

13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述第二部分包含围绕第二介电质的多晶硅。

14.根据权利要求13所述的存储器设备，其中所述第一部分包含围绕第三介电质的多晶硅。

15.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述设备包括存储器装置，所述导电材料的第一群组形成所述存储器装置的字线的群组的一部分，并且所述第二柱是驱动器的一部分以提供电压到所述字线中的一个。

16.一种存储器设备，其包括：

导电材料的第一群组，其与介电材料的第一群组交错；

第一柱，其延伸穿过所述导电材料的第一群组和所述介电材料的第一群组；

存储器单元，其沿所述第一柱定位；

导电触点，其耦合到所述导电材料的第一群组的导电材料；以及

第二柱，其延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组，所述第二柱包含介电质部分、第一部分和第二部分，并且所述第一部分位于所述介电质部分和所述第二部分之间，其中

所述介电质部分接触导电区，以及

所述第二部分耦合到所述导电触点。

17.根据权利要求16所述的存储器设备，其中所述介电质部分是二氧化硅。

18.根据权利要求16所述的存储器设备，其中所述第一部分是掺杂多晶硅。