[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。本发明通过改变P电流扩展条的结构，使得P电流扩展条可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

传统LED芯片的电极包括N型电极和P型电极，N/P型电极包括电极焊盘和电流扩展条(finger)，其中，电极焊盘和电流扩展条的结构相同，包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，两者沉积的金属形同，制作方法相同，两者为同时形成。

由于现有P型电极的电流扩展条的底层为Cr层，而Cr金属会对LED芯片所发出的光进行吸收，导致亮度损失。随着Cr层厚度增加，Cr层吸光越严重，P型电极的电流扩展条对LED芯片所发出的光进行反射的强度越差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片，P型电流扩展层可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片的制作方法，通过沉积两次金属，形成的P型电流扩展层可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED芯片，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。

作为上述方案的改进，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

作为上述方案的改进，所述N型电极包括N焊盘和N电流扩展条，所述N焊盘和N电流扩展条包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层。

作为上述方案的改进，所述LED芯片还包括电流阻档层和透明导电层，所述外延层包括设于衬底上的N型氮化镓层、设于N型氮化镓层上的有源层、以及设于有源层上的P型氮化镓层，所述电流阻挡层设于P型氮化镓层上，所述透明导电层设于电流阻挡层上，所述N型电极设于N型氮化镓层上，所述P型电极设于透明导电层上。

相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：

1、在衬底上生长氮化镓材料，形成外延层；

2、在N焊盘区域、P焊盘区域和P电流扩展条区域上沉积金属，形成Cr层；

3、在N电流扩展条区域和Cr层上沉积金属，依次形成Al层、Ti层、Pt层和Au层，从而在N焊盘区域形成N焊盘，在N电流扩展条区域形成N电流扩展条，在P焊盘区域形成P焊盘，在P电流扩展条区域形成P电流扩展条。

作为上述方案的改进，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

作为上述方案的改进，所述外延层包括设于衬底上的N型氮化镓层、设于N型氮化镓层上的有源层、以及设于有源层上的P型氮化镓层，在步骤2之前，还包括：

对外延层进行刻蚀，形成贯穿P型氮化镓层、有源层并延伸至N型氮化镓层的裸露区域；

在P型氮化镓层上依次形成电流阻挡层和透明导电层，形成LED晶圆。