[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型电极包括N焊盘和N电流扩展条，所述N焊盘和N电流扩展条包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括电流阻档层和透明导电层，所述外延层包括设于衬底上的N型氮化镓层、设于N型氮化镓层上的有源层、以及设于有源层上的P型氮化镓层，所述电流阻挡层设于P型氮化镓层上，所述透明导电层设于电流阻挡层上，所述N型电极设于N型氮化镓层上，所述P型电极设于透明导电层上。

5.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1、在衬底上生长氮化镓材料，形成外延层；

2、在N焊盘区域、P焊盘区域和P电流扩展条区域上沉积金属，形成Cr层；

3、在N电流扩展条区域和Cr层上沉积金属，依次形成Al层、Ti层、Pt层和Au层，从而在N焊盘区域形成N焊盘，在N电流扩展条区域形成N电流扩展条，在P焊盘区域形成P焊盘，在P电流扩展条区域形成P电流扩展条。

6.如权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

7.如权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述外延层包括设于衬底上的N型氮化镓层、设于N型氮化镓层上的有源层、以及设于有源层上的P型氮化镓层，在步骤2之前，还包括：

对外延层进行刻蚀，形成贯穿P型氮化镓层、有源层并延伸至N型氮化镓层的裸露区域；

在P型氮化镓层上依次形成电流阻挡层和透明导电层，形成LED晶圆。

8.如权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述N焊盘区域位于裸露出来的N型氮化镓层上，所述N电流扩展条区域、P焊盘区域和P电流扩展条区域位于透明导电层上。

9.如权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述N焊盘区域和N电流扩展条区域位于裸露出来的N型氮化镓层上，所述P焊盘区域和P电流扩展条区域位于透明导电层上。

10.如权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤3之后，还包括以下步骤：

在LED晶圆上沉积形成绝缘层，并对绝缘层进行刻蚀，将N焊盘和P焊盘裸露出来。