[发明专利]一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质

说明书

本发明公开了一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质，方法包括：在目标版图上搜索出多个目标区域，在每个所述目标区域处均设置采样点；根据采样点，对所述目标版图进行切片，提取出多个切片图形；将每个切片图形均划分为网格状，并根据划分的网格确定出每个切片图形的描述矩阵；采用预设的单元特征图形组扫描每个切片图形的描述矩阵，确定出每个切片图形的特征向量，并根据特征向量提取出测试图形。改善了现有技术中的版图测试图形提取方法存在的计算耗时过长的技术问题。实现了减少计算量和节约计算时间的效果。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质。

背景技术

在集成电路制造中，光刻技术作为唯一的图形化工艺成为推动集成电路制造业发展的重要技术。光刻技术是利用光化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转移到衬底上，以此进行选择性的刻蚀、沉积来构成器件。

光刻技术通常采用光学曝光的方法来生成图形，因此掩模上的邻近图形间会发生干涉衍射即光学邻近效应，导致晶圆表面的成像图形与掩模图形之间存在差异。随着集成电路工艺节点的缩减，成像图形与掩模图形之间的差异越来越大，需要引入分辨率增强技术，如光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,OPC)、光源掩模协同优化(Source Mask Optimization,SMO)等通过修改掩模图形或调整光源形状的方法使得成像图形与设计图形间尽可能相似。

SMO和OPC计算时都需要提供测试图形作为输入。测试图形的选取十分重要，它直接关系到收集到的实验数据是否有效，能否涵盖设计版图中图形的所有特征。只有与版图图形相匹配的测试图形才能通过SMO得到合适的光源或者充分校准得到精确的OPC模型。

目前，测试图形的自动生成方法是通过电子设计自动化(Electronic DesignAutomation，EDA)工具采用基于频谱分析的方法抽取出典型图形作为测试图形。然而，随着版图的复杂化趋势，频谱变化计算耗时过长。

发明内容

本发明通过提供一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质，改善了现有技术中的版图测试图形提取方法存在的计算耗时过长的技术问题。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了如下技术方案：

一种版图测试图形提取方法，包括：

在目标版图上搜索出多个满足预设布图规则的目标区域，在每个所述目标区域处均设置采样点；

根据所述采样点，对所述目标版图进行切片，提取出多个切片图形，每个所述切片图形中均包括有至少一个所述采样点；

将每个所述切片图形均划分为网格状，并根据划分的网格确定出每个所述切片图形的描述矩阵，所述描述矩阵能表征对应的所述切片图形的图形布局特征；

采用预设的单元特征图形组扫描每个所述切片图形的所述描述矩阵，确定出每个所述切片图形的特征向量，并根据所述特征向量从所述多个切片图形中提取出测试图形，其中，所述特征向量表征对应的切片图形与所述单元特征图形组的相关性。

可选的，所述满足预设布图规则的目标区域包括以下任一种或多种的组合：线端点到线端点的区域、线端点到线条的区域、线端点到拐点的区域、拐点到线条的区域、拐点到拐点的区域，或线条重叠的区域。

可选的，所述在目标版图上搜索出多个满足预设布图规则的目标区域，包括：根据所述目标版图的关键尺寸和图形周期，确定出搜索尺寸；以所述目标版图上，在所述搜索尺寸内，存在满足预设布图规则的图形的区域作为所述目标区域。

可选的，所述在每个所述目标区域处均设置采样点包括：以满足预设布图规则的图形的中心作为所述采样点。