[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成P‑型阱区和漂移区；在所述P‑型阱区中形成源极，所述源极包括P型区域接触和N型区域接触；在所述漂移区中形成漏极和隔离结构，所述隔离结构的宽度小于第一阈值；在所述P‑型阱区和所述漂移区的上方形成闸极；所述闸极中靠近所述漂移区的一侧以及所述漂移区的上方形成合金阻挡区；所述合金阻挡区的上方形成接触孔场板；所述接触孔场板的上方形成金属场板。通过本发明的制作方法，在不增加任何光刻层级的前提下，在传统LDMOS器件的结构上增加大尺寸的接触孔作为场板以维持击穿电压，同时缩小隔离结构的尺寸以获得最低的导通电阻。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种LDMOS器件及其制作方法。

背景技术

场板广泛应用于低中高压LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)的制作，结构上分为传统的Metal(金属)场板、Poly(多晶硅)场板以及新型的Contact(接触孔)场板；作用上分为利用场板的耦合作用提高BV(Breakdown Voltage，击穿电压)、抑制HCI(Hot CarriersInjection，热载流子注入)效应以及减小Rdson(导通电阻)。由于受到ILD(隔离层)厚度(>10KA)与STI(浅沟槽隔离)厚度(>4KA)偏高的影响，Metal场板与Poly场板主要用于超高压LDMOS，而Contact场板由于受到SBLK(合金阻挡区)厚度(<500A)的限制，一般用于低压的DEMOS(漏极扩展金属氧化物半导体)器件。

如图1所示，传统的LDMOS器件中，STI作为缓冲以提高器件的BV，ILD与STI的厚度大于15KA，使得金属场板无法作用于N-漂移区表面，BV通常大于30V，但导通电阻比较高。目前，还有一种新型的接触孔场板，如图2所示，突破了ILD厚度的限制而实现了金属场板的延续，但没有STI的缓冲作用导致BV下降严重，主要应用于低压器件。

在20V-40V这个工作区间内，场板的选择余地非常小，如何利用现有IC(Integrated Circuit，集成电路)工艺制作场板以减小Rdson和提高BV成为共同探讨的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中的上述缺陷，提供一种能够减小Rdson和提高BV的LDMOS器件及其制作方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

本发明的第一方面提供一种LDMOS器件的制作方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成P-型阱区和漂移区；

在所述P-型阱区中形成源极，所述源极包括P型区域接触和N型区域接触；

在所述漂移区中形成漏极和隔离结构，所述隔离结构的宽度小于第一阈值；

在所述P-型阱区和所述漂移区的上方形成闸极；

所述闸极中靠近所述漂移区的一侧以及所述漂移区的上方形成合金阻挡区；

所述合金阻挡区的上方形成接触孔场板；所述接触孔场板的宽度大于第二阈值；

所述接触孔场板的上方形成金属场板，且与所述金属场板电连接。

可选地，所述隔离结构为浅沟槽隔离。

可选地，所述闸极由多晶硅掩膜形成。

可选地，所述合金阻挡区由二氧化硅阻挡层掩膜形成。

可选地，所述接触孔场板由接触孔掩膜形成。

本发明的第二方面提供一种LDMOS器件，包括：

位于半导体衬底中的P-型阱区和漂移区；