[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810987737.5 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110867375A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 林威;程小强;郎金荣 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;罗朗 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成P-型阱区和漂移区；
在所述P-型阱区中形成源极，所述源极包括P型区域接触和N型区域接触；
在所述漂移区中形成漏极和隔离结构，所述隔离结构的宽度小于第一阈值；
在所述P-型阱区和所述漂移区的上方形成闸极；
所述闸极中靠近所述漂移区的一侧以及所述漂移区的上方形成合金阻挡区；
所述合金阻挡区的上方形成接触孔场板；所述接触孔场板的宽度大于第二阈值；
所述接触孔场板的上方形成金属场板，且与所述金属场板电连接。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述闸极由多晶硅掩膜形成。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述合金阻挡区由二氧化硅阻挡层掩膜形成。
5.如权利要求1-4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述接触孔场板由接触孔掩膜形成。
6.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
位于半导体衬底中的P-型阱区和漂移区；
位于所述P-型阱区中的源极，所述源极包括P型区域接触和N型区域接触；
位于所述漂移区中的漏极和隔离结构，所述隔离结构的宽度小于第一阈值；
位于所述P-型阱区和所述漂移区上方的闸极；
位于所述闸极中靠近所述漂移区的一侧以及所述漂移区上方的合金阻挡区；
位于所述合金阻挡区上方的接触孔场板；所述接触孔场板的宽度大于第二阈值；
位于所述接触孔场板上方的金属场板，所述接触孔场板与所述金属场板电连接。
7.如权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
