[发明专利]显示面板及其制造方法有效
| 申请号: | 201810987086.X | 申请日: | 2018-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN108831895B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
| 发明(设计)人: | 王超;刘广辉;颜源 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法包含步骤:
提供一基板;
形成一栅极在所述基板上;
形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上;
形成一多晶硅层在所述栅极绝缘层上;
对所述多晶硅层进行一第一灰阶掩膜工艺,以形成所述多晶硅层的一源极区、一漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区;
形成一层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上;
形成一第一电极层在所述层间介电层上;以及
对所述第一电极层及所述层间介电层进行一第二灰阶掩膜工艺,其中包含:
图案化所述第一电极层以形成一第一电极图案层;及
在所述层间介电层内形成一源极穿孔与一漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一电性材料图案层在所述第一电极图案层上及所述层间介电层的所述源极穿孔与所述漏极穿孔中,其中所述电性材料图案层包含一源极接触层及一漏极接触层,以及所述源极接触层通过所述源极穿孔电性连接所述源极区,所述漏极接触层通过所述漏极穿孔电性连接所述漏极区。
3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述电性材料图案层更包含一电极接触层,以及所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一钝化图案层在所述源极接触层及所述漏极接触层上,其中所述钝化图案层暴露所述电极接触层。
4.如权利要求3所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一第二电极图案层在所述钝化图案层及所述电极接触层上。
5.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述第一灰阶掩膜工艺及所述第二灰阶掩膜工艺是选自于由一半色调光掩膜工艺及一灰色调光掩膜工艺所组成的一族群。
6.一种显示面板,其特征在于:所述显示面板包含:
一基板;
一栅极,设在所述基板上;
一栅极绝缘层,设在所述栅极及所述基板上;
一多晶硅层,设在所述栅极绝缘层上,其中所述多晶硅层包含一源极区、一漏极区及设在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区;
一层间介电层,设在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上,所述层间介电层具有一源极穿孔与一漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区;以及
一第一电极图案层,设在所述层间介电层上。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板更包含一电性材料图案层,设在所述第一电极图案层上及所述层间介电层的所述源极穿孔与所述漏极穿孔中,其中所述电性材料图案层包含:
一源极接触层,通过所述源极穿孔电性连接所述源极区;及
一漏极接触层,通过所述漏极穿孔电性连接所述漏极区。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述电性材料图案层更包含一电极接触层,以及所述显示面板包含一钝化图案层,所述钝化图案层设在所述源极接触层及所述漏极接触层上,其中所述钝化图案层暴露所述电极接触层。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包含一第二电极图案层,设在所述钝化图案层及所述电极接触层上。
10.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于:所述多晶硅层是通过一第一灰阶掩膜工艺设置,以及所述第一电极图案层与所述层间介电层是通过一第二灰阶掩膜工艺设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810987086.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





