[发明专利]显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810987086.X 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN108831895B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 王超;刘广辉;颜源 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法包含步骤:

提供一基板;

形成一栅极在所述基板上;

形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上;

形成一多晶硅层在所述栅极绝缘层上;

对所述多晶硅层进行一第一灰阶掩膜工艺,以形成所述多晶硅层的一源极区、一漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区;

形成一层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上;

形成一第一电极层在所述层间介电层上;以及

对所述第一电极层及所述层间介电层进行一第二灰阶掩膜工艺,其中包含:

图案化所述第一电极层以形成一第一电极图案层;及

在所述层间介电层内形成一源极穿孔与一漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。

2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一电性材料图案层在所述第一电极图案层上及所述层间介电层的所述源极穿孔与所述漏极穿孔中,其中所述电性材料图案层包含一源极接触层及一漏极接触层,以及所述源极接触层通过所述源极穿孔电性连接所述源极区,所述漏极接触层通过所述漏极穿孔电性连接所述漏极区。

3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述电性材料图案层更包含一电极接触层,以及所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一钝化图案层在所述源极接触层及所述漏极接触层上,其中所述钝化图案层暴露所述电极接触层。

4.如权利要求3所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法还包含步骤:形成一第二电极图案层在所述钝化图案层及所述电极接触层上。

5.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于:所述第一灰阶掩膜工艺及所述第二灰阶掩膜工艺是选自于由一半色调光掩膜工艺及一灰色调光掩膜工艺所组成的一族群。

6.一种显示面板,其特征在于:所述显示面板包含:

一基板;

一栅极,设在所述基板上;

一栅极绝缘层,设在所述栅极及所述基板上;

一多晶硅层,设在所述栅极绝缘层上,其中所述多晶硅层包含一源极区、一漏极区及设在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区;

一层间介电层,设在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上,所述层间介电层具有一源极穿孔与一漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区;以及

一第一电极图案层,设在所述层间介电层上。

7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板更包含一电性材料图案层,设在所述第一电极图案层上及所述层间介电层的所述源极穿孔与所述漏极穿孔中,其中所述电性材料图案层包含:

一源极接触层,通过所述源极穿孔电性连接所述源极区;及

一漏极接触层,通过所述漏极穿孔电性连接所述漏极区。

8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述电性材料图案层更包含一电极接触层,以及所述显示面板包含一钝化图案层,所述钝化图案层设在所述源极接触层及所述漏极接触层上,其中所述钝化图案层暴露所述电极接触层。

9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包含一第二电极图案层,设在所述钝化图案层及所述电极接触层上。

10.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于:所述多晶硅层是通过一第一灰阶掩膜工艺设置,以及所述第一电极图案层与所述层间介电层是通过一第二灰阶掩膜工艺设置。

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