[发明专利]显示面板及其制造方法

说明书

本发明提供一种显示面板及其制造方法，所述显示面板的制造方法包含步骤：提供基板；形成栅极在所述基板上；形成栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上；形成多晶硅层在所述栅极绝缘层上；对所述多晶硅层进行第一灰阶掩膜工艺，以形成所述多晶硅层的源极区、漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的有源区；形成层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上；形成第一电极层在所述层间介电层上；以及对所述第一电极层及所述层间介电层进行第二灰阶掩膜工艺，其中包含：图案化所述第一电极层以形成第一电极图案层；及在所述层间介电层内形成源极穿孔与漏极穿孔，其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法，特别是有关于一种可减少光掩膜次数的显示面板及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

例如，使用低温多晶硅(LTPS)作为有源区的液晶显示器，由于低温多晶硅具有较高载流子迁移率，故可使晶体管获得更高的开关电流比。因此在满足要求的充电电流条件下，每个像素晶体管的尺寸可以进行缩小化，进而增大每个像素的透光区，以提高面板开口率、改善面板亮点和高分辨率，以及降低面板功耗。因此，低温多晶硅(LTPS)液晶显示器可获得较佳的视觉体验。

然而，由于每个像素晶体管的尺寸朝向小型化的方向发展，因而使光掩膜设备成本的产生指数性的增长。

故，有必要提供一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的使用光掩膜次数过多，进而增加制造成本的问题。

本发明的一目的在于提供一种显示面板的制造方法，其通过使用二个灰阶掩膜工艺，以减少制造显示面板中所使用的光掩膜次数，进而减少制造成本。

本发明的另一目的在于提供一种显示面板，其通过将栅极作为遮光层、省略平坦层、以及把下电极(bottom ITO；BITO)层作为像素电极，以减少制造显示面板中所使用的光掩膜次数，进而减少制造成本。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种显示面板的制造方法，其中所述显示面板的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极在所述基板上；形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上；形成一多晶硅层在所述栅极绝缘层上；对所述多晶硅层进行一第一灰阶掩膜工艺，以形成所述多晶硅层的一源极区、一漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区；形成一层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上；形成一第一电极层在所述层间介电层上；以及对所述第一电极层及所述层间介电层进行一第二灰阶掩膜工艺，其中包含：图案化所述第一电极层以形成一第一电极图案层；及在所述层间介电层内形成一源极穿孔与一漏极穿孔，其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。

在本发明的一实施例中，所述显示面板的制造方法还包含步骤：形成一电性材料图案层在所述第一电极图案层上及所述层间介电层的所述源极穿孔与所述漏极穿孔中，其中所述电性材料图案层包含一源极接触层及一漏极接触层，以及所述源极接触层通过所述源极穿孔电性连接所述源极区，所述漏极接触层通过所述漏极穿孔电性连接所述漏极区。

在本发明的一实施例中，所述电性材料图案层更包含一电极接触层，以及所述显示面板的制造方法还包含步骤：形成一钝化图案层在所述源极接触层及所述漏极接触层上，其中所述钝化图案层暴露所述电极接触层。

在本发明的一实施例中，所述显示面板的制造方法还包含步骤：形成一第二电极图案层在所述钝化图案层及所述电极接触层上。