[发明专利]晶体管、半导体组件及形成闪存组件的方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包含：

基板，具有多个源极/漏极区及信道区，所述信道区位于所述源极/漏极区之间；

栅极；以及

栅极介电层，位于所述栅极及所述基板之间，其中所述基板朝着远离所述栅极介电层的方向渐缩，其中所述基板具有第一面与第二面，所述第一面在俯视图中有相对的第一侧与第二侧，所述第二面是从所述第一面的第一侧连接到所述第一面的第二侧，在所述俯视图中，所述第二面的弧长大于所述第一面的长度，且所述信道区位于所述第一面。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极介电层、所述基板及所述栅极在所述俯视图中共同形成半椭圆轮廓。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极嵌设于所述栅极介电层内。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极介电层嵌设于所述基板内。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包含凸面，所述凸面与所述栅极介电层接触。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述基板包含凹面，所述凹面与所述栅极介电层接触。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极及所述基板分别包含凸面及凹面，且所述栅极介电层位于所述凸面及所述凹面之间。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包含：

第一隔离层，所述基板嵌设于所述第一隔离层内，其中所述第一隔离层具有蜿蜒状形状。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，还包含：

第二隔离层，其中所述栅极位于所述第二隔离层及所述栅极介电层之间，且所述第二隔离层具有与所述第一隔离层不同的形状。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述第二隔离层具有直条形形状。

11.一种半导体组件，其特征在于，包含：

第一隔离层，具有多个第一侧与多个第二侧，且所述第一侧及所述第二侧呈非对称；以及

多个晶体管，所述晶体管分别嵌设于所述第一隔离层中呈非对称的所述第一侧及所述第二侧，所述晶体管的每一个包含呈水平顺序排列的栅极、栅极介电层及掺杂硅基板，其中所述掺杂硅基板具有第一面与第二面，所述第一面在俯视图中有相对的第一侧与第二侧，所述第二面是从所述第一面的第一侧连接到所述第一面的第二侧，在所述俯视图中，所述第二面的弧长大于所述第一面的长度，且所述掺杂硅基板的信道区位于所述第一面。

12.根据权利要求11所述的半导体组件，其特征在于，所述第一隔离层具有蜿蜒状形状。

13.根据权利要求11所述的半导体组件，其特征在于，还包含：

多个第二隔离层，其中所述第一隔离层位于所述第二隔离层之间，且所述第二隔离层具有与所述第一隔离层不同的形状。

14.根据权利要求13所述的半导体组件，其特征在于，所述第二隔离层的每一个具有直条形形状。

15.根据权利要求11所述的半导体组件，其特征在于，所述晶体管的每一个的所述栅极、所述栅极介电层及所述掺杂硅基板在所述俯视图中共同形成半椭圆轮廓。

16.根据权利要求11所述的半导体组件，其特征在于，所述第一隔离层的所述第一侧具有多个第一凹口，所述晶体管的第一组位于所述第一凹口，所述第一隔离层的所述第二侧具有多个第二凹口，所述晶体管的第二组位于所述第二凹口，所述第一凹口与所述第二凹口呈非对称排列。