[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：衬底；介电结构，位于衬底上方；以及盖层，位于介电结构上方，其中盖层的底部具有M型剖面轮廓，且盖层与介电结构由不同的材料形成。该半导体装置可避免介电结构在后续的刻蚀制造工艺中暴露出来而产生漏电或短路的路径，造成半导体装置损坏。

技术领域

本发明实施例是关于半导体制造技术，特别是有关于半导体装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体装置尺寸的微缩，制造半导体装置的难度也大幅提升，半导体装置的制造工艺期间可能产生不想要的缺陷，这些缺陷可能会造成装置的效能降低或损坏。因此，必须持续改善半导体装置，以提升良率并改善制造工艺宽裕度。

发明内容

本发明提供一半导体装置。此半导体装置包含：衬底；介电结构(dielectricstructure)，位于衬底(substrate)上方；以及盖层(capping layer)，位于介电结构上方，其中盖层的底部具有M型剖面轮廓，且盖层与介电结构由不同的材料形成。

本发明另提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含：提供衬底；在衬底上方形成介电结构；在介电结构上方形成具有U型剖面轮廓的第一盖层；在第一盖层上方形成第二盖层，其中第二盖层在第一盖层的两侧具有一对足部朝衬底延伸，使得第一盖层和第二盖层的复数个底部形成M型剖面轮廓。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明的实施例。应注意的是，依据产业上的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1A至图1E根据本发明一些实施例绘示在制造半导体装置的各个阶段的剖面示意图。

图2A至图2E根据本发明另一些实施例绘示在制造半导体装置的各个阶段的剖面示意图。

图3至图4根据本发明又一些实施例绘示半导体装置的剖面示意图。

附图标号

100～衬底

160、160A、160B、160C、160D、270～介电结构

110、120～隔离结构

130～阻障层 165～刻蚀停止层

140～字线 170～保护层

150、200～绝缘结构 180～第一导电结构

185～硅化物区 260～第二盖层

190～衬层 275～空气间隙

195～第二导电结构 280～电容器

210、210’～凹槽 282～下电极层

220～第一盖层材料 284、290～介电层

225、265～沟槽 286～上电极层

230～第一盖层

1000、2000、3000、4000～半导体装置

240～间隙

250～第二盖层材料 A、B～箭号

255～足部