[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一衬底；

一介电结构，位于所述衬底上方；

一盖层，位于所述介电结构上方，其中所述盖层的一底部具有一M型剖面轮廓，且所述盖层与所述介电结构由不同的材料形成，其中所述盖层为一复合式盖层，包括：

一第一盖层，具有一U型剖面轮廓；以及

一第二盖层，位于所述第一盖层上，且所述第二盖层具有一对足部，位于所述第一盖层的两侧；以及

一对空气间隙，位于所述足部与所述衬底之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一盖层包括与所述介电结构具有不同刻蚀选择比的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖层的一边缘和所述介电结构的一边缘形成一共同侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对导电结构，位于所述衬底上方，其中所述介电结构位于所述对导电结构之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一电容器，其中所述电容器的一底部邻接所述盖层。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上方形成一介电结构；

在所述介电结构上方形成具有一U型剖面轮廓的一第一盖层，其中所述第一盖层的形成包括：

凹蚀所述介电结构，以在所述介电结构的一中间部分形成一U型凹槽；

在所述U型凹槽中过填充一第一盖层材料；以及

回刻蚀所述第一盖层材料，直到露出所述介电结构的复数个周围部分；

在所述第一盖层上方形成一第二盖层，其中所述第二盖层在所述第一盖层的两侧具有一对足部朝所述衬底延伸，使得所述第一盖层和所述第二盖层的复数个足部形成一M型剖面轮廓。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二盖层的形成包括：

使用所述第一盖层作为一遮罩，刻蚀所述介电结构露出的所述周围部分，以在所述第一盖层的两侧形成复数个间隙；以及

以一第二盖层材料填充所述间隙，以形成所述第二盖层的所述足部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二盖层材料填充所述间隙的复数个上部，以在所述间隙的复数个剩余部分形成复数个空气间隙。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在所述衬底上方形成一对导电结构，其中所述介电结构位于所述导电结构之间。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在所述导电结构上方形成邻接所述第二盖层的一电容器。