[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向相互堆叠的牺牲层和绝缘层；

刻蚀所述堆叠结构至衬底表面，形成栅线隔槽；

采用湿法刻蚀工艺，沿所述栅线隔槽去除所述牺牲层，在相邻所述绝缘层之间形成开口；其中，

所述湿法刻蚀工艺包括：第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，所述第二刻蚀阶段位于所述第一刻蚀阶段之后，所述第一刻蚀阶段的刻蚀液中的Si的质量浓度小于第二刻蚀阶段的刻蚀液中的Si的质量浓度，以避免副产物沉积于所述绝缘层的端部，从而形成宽度均匀的所述开口，在所述第一刻蚀阶段中，随着牺牲层的去除，在所述绝缘层表面不会产生副产物的堆积；

所述湿法刻蚀工艺的两个刻蚀阶段中，所述第一刻蚀阶段的刻蚀时间小于第二刻蚀阶段的刻蚀时间，避免对所述绝缘层过刻蚀。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为磷酸溶液。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段采用的刻蚀液中，Si的质量浓度为5ppm～25ppm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段的刻蚀时间为20min～30min。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段采用的刻蚀液中，Si的质量浓度为35ppm～95ppm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段的刻蚀时间为80min～180min。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构内还形成有沟道孔结构，所述沟道孔结构包括：贯穿所述堆叠结构至衬底表面的沟道孔、位于所述沟道孔底部的半导体外延层、覆盖所述沟道孔侧壁表面的功能侧墙、覆盖所述功能侧墙以及半导体外延层的沟道层、以及位于所述沟道层表面填充满所述沟道孔的沟道介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构顶部还堆叠有盖帽层。