[发明专利]曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法。该曝光装置包括：测量单元、曝光单元和中转传输单元；测量单元用于放置基底，并测量基底的位置；测量单元包括可拆卸的载盘子单元，载盘子单元用于吸附基底，且载盘子单元与被吸附的基底同步传输；中转传输单元用于固定和传输基底、载盘子单元、基底以及吸附基底的载盘子单元；中转传输单元用于在曝光单元闲置时将测量后的基底以及吸附基底的载盘子单元同步传输至曝光单元，以及用于在测量单元闲置时将未吸附基底的载盘子单元传输至测量单元；曝光单元用于对测量后的基底进行曝光。该技术方案可协调测量时间和曝光时间，提高双台曝光光刻技术的产能。

技术领域

本发明实施例涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法。

背景技术

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将图案形成单元上的图形转移到基底上的技术。其主要过程为：首先光线通过图案形成单元照射到形成有一层光刻胶层的基底表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使图案形成单元上的图形被复制到光刻胶层上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基底上。

产业化过程中，为了提高产能(产能，通常利用一段时间内生产产品的数量来衡量，是衡量企业生产效率的重要指标之一，产能越高，生产效率越高)，可采用双台曝光或多台曝光技术。通常，双台曝光技术中，利用一个工件台作为测量单元、另一个工件台作为曝光单元。但是，由于基底测量时间与曝光时间不匹配，产能难以继续提高。

发明内容

本发明提供一种曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法，以继续提高双台曝光技术的产能。

第一方面，本发明实施例提出一种曝光装置，该曝光装置包括：

测量单元、曝光单元和中转传输单元；

所述测量单元用于放置基底，并测量所述基底的位置；所述测量单元包括可拆卸的载盘子单元，所述载盘子单元用于吸附所述基底，且所述载盘子单元与被吸附的所述基底同步传输；

所述中转传输单元用于固定和传输所述载盘子单元，或载有所述基底的所述载盘子单元；所述中转传输单元用于在所述曝光单元闲置时将测量后的所述基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元同步传输至所述曝光单元，以及用于在所述测量单元闲置时将未吸附所述基底的所述载盘子单元传输至所述测量单元；

所述曝光单元用于对测量后的所述基底进行曝光。

进一步地，所述中转传输单元包括中转子单元和传输子单元；

所述中转子单元用于放置测量后的基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元；

所述传输子单元用于在所述中转子单元闲置时将测量后的所述基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元从测量单元同步传输至中转子单元，用于在所述曝光单元闲置时将放置于所述中转子单元的所述基底以及吸附基底的所述载盘子单元同步传输至所述曝光单元，用于将曝光后的所述基底下片，以及用于将未吸附所述基底的所述载盘子单元传输至闲置的所述测量单元。

进一步地，所述载盘子单元包括第一真空接口和第二真空接口，所述测量单元包括第三真空接口，所述中转子单元包括第四真空接口，所述传输子单元包括第六真空接口，所述曝光单元包括第五真空接口；

所述第一真空接口用于与所述测量单元的第三真空接口、所述中转子单元的第四真空接口或所述曝光单元的第五真空接口连接，所述第二真空接口用于与所述传输子单元的第六真空接口连接。

进一步地，所述中转子单元包括至少两个中转位置；

每个所述中转位置用于放置一个所述载盘子单元以及被所述载盘子单元吸附的所述基底，或者一个所述载盘子单元，或者一个所述基底。