[发明专利]曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种曝光装置，其特征在于，包括：测量单元、曝光单元和中转传输单元；

所述测量单元用于放置基底，并测量所述基底的位置；所述测量单元包括可拆卸的载盘子单元，所述载盘子单元用于吸附所述基底；

所述中转传输单元用于固定和传输所述载盘子单元，或载有所述基底的所述载盘子单元；

所述中转传输单元用于在所述曝光单元闲置时将测量后的所述基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元同步传输至所述曝光单元，以及用于在所述测量单元闲置时将未吸附所述基底的所述载盘子单元传输至所述测量单元；

所述曝光单元用于对测量后的所述基底进行曝光。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述中转传输单元包括中转子单元和传输子单元；

所述中转子单元用于放置测量后的基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元；

所述传输子单元用于在所述中转子单元闲置时将测量后的所述基底以及吸附所述基底的所述载盘子单元从测量单元同步传输至中转子单元，用于在所述曝光单元闲置时将放置于所述中转子单元的所述基底以及吸附基底的所述载盘子单元同步传输至所述曝光单元，用于将曝光后的所述基底下片，以及用于将未吸附所述基底的所述载盘子单元传输至闲置的所述测量单元。

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述载盘子单元包括第一真空接口和第二真空接口，所述测量单元包括第三真空接口，所述中转子单元包括第四真空接口，所述传输子单元包括第六真空接口，所述曝光单元包括第五真空接口；

所述第一真空接口用于与所述测量单元的第三真空接口、所述中转子单元的第四真空接口或所述曝光单元的第五真空接口连接，所述第二真空接口用于与所述传输子单元的第六真空接口连接。

4.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述中转子单元包括至少两个中转位置；

每个所述中转位置用于放置一个所述载盘子单元以及被所述载盘子单元吸附的所述基底，或者一个所述载盘子单元，或者一个所述基底。

5.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述中转传输单元包括至少两个传输子单元；

闲置的所述传输子单元还用于固定所述载盘子单元以及被所述载盘子单元吸附的所述基底并等候，在所述曝光单元闲置时，将等候的所述载盘子单元以及被所述载盘子单元吸附的所述基底传输至所述曝光单元。

6.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于，所述载盘子单元包括第一真空接口和第二真空接口，所述测量单元包括第三真空接口，所述传输子单元包括第七真空接口，所述曝光单元包括第五真空接口；

所述第一真空接口用于与所述测量单元的第三真空接口或所述曝光单元的第五真空接口连接，所述第二真空接口用于与所述传输子单元的第七真空接口连接。

7.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述载盘子单元包括基准板和吸盘；

所述测量单元以所述基准板为基准，将所述载盘子单元与所述基底对准；

所述基底真空吸附于所述吸盘一侧。

8.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述载盘子单元包括吸盘，所述测量单元包括基准板；

所述测量单元以所述基准板为基准，将所述载盘子单元与所述基底对准；

所述基底真空吸附于所述吸盘一侧。

9.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括沿光线传播方向依次排列的光源单元、光学传输系统、图案形成单元和投影系统；

所述光源单元用于发出光线，所述光线经所述光学传输系统、所述图案形成单元和所述投影系统照射到所述基底表面，对所述基底进行曝光。