[发明专利]一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺

权利要求书

1.一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在芯板的两表面铜层上贴膜，而后通过曝光、显影在芯板的上表面上形成内层线路图形，且曝光时芯板下表面的膜整面被曝光；

S2、而后通过蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；

S3、在芯板的两表面上贴膜，而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的膜不进行曝光；

S4、在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形；

S5、而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；

S6、去掉芯板上表面的支撑基板，在芯板的下表面上贴支撑基板，然后再依次去除芯板上表面上的膜和支撑基板；

S7、芯板通过半固化片与外层铜箔压合，形成生产板。

2.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S1中具体包括以下步骤：

S11、在芯板的两表面铜层上贴干膜；

S12、在干膜的外侧贴保护膜；

S13、而后通过曝光工序在芯板的上表面完成内层线路曝光，且芯板下表面的干膜被整面曝光；

S14、去掉保护膜后，通过显影工序在芯板的上表面形成内层线路图形。

3.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S3中具体包括以下步骤：

S31、在芯板的两表面上贴干膜；

S32、在干膜的外侧贴保护膜；

S33、而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的干膜不进行曝光。

4.根据权利要求3所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S4中具体包括以下步骤：

S41、在芯板上表面的保护膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；

S42、去掉芯板下表面上的保护膜后，通过显影工序在芯板的下表面形成内层线路图形。

5.根据权利要求4所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S6中具体包括以下步骤：

S61、去掉芯板上表面上的支撑基板；

S62、在芯板的下表面上贴支撑基板；

S63、去掉芯板上表面上的保护膜后，而后通过显影去除芯板上表面上的干膜，最后去掉芯板下表面上的支撑基板。

6.根据权利要求4所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S41和S62中，芯板和支撑基板之间通过胶带粘接两者四周的板边进行固定。

7.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S7后还包括以下步骤：

S8、生产板依次经过外层钻孔、沉铜、全板电镀、制作外层线路、制作阻焊层、表面处理和成型的工序，制成线路板成品。

8.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，所述支撑基板是PP片、光板或覆铜芯板。