[发明专利]一种静电吸盘在审
| 申请号: | 201810979177.9 | 申请日: | 2018-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN109473390A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
| 发明(设计)人: | 刘国家 | 申请(专利权)人: | 刘国家 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 成都佳划信知识产权代理有限公司 51266 | 代理人: | 马冬新 |
| 地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电吸盘 冷却腔 配合安装 密封腔体 离子束 氩弧焊 冷却气体 冷却液体 密封焊接 密封状态 使用寿命 泄露 配合 保证 | ||
本发明公开了一种静电吸盘,该静电吸盘包括包括相互配合安装的第一基体和第二基体,在所述第一基体与所述第二基体之间形成冷却腔;在所述第一基体与所述第二基体的配合安装处通过氩弧焊或离子束焊的方式连接,使得所述冷却腔形成密封腔体;第一基体与第二基体配合后,在两者的配合安装处采用氩弧焊或者离子束焊的方式将两者密封焊接,使得冷却腔形成密封腔体,从而充斥在冷却腔中的冷却气体或冷却液体不会泄露,并且可长时间处于这种密封状态,保证了该静电吸盘长时间的稳定性,并延长该静电吸盘的使用寿命。
技术领域
本发明属于一种半导体设备领域,具体的讲涉及一种静电吸盘。
背景技术
传统的静电吸盘通常采用两片或两片以上金属材料基体通过融接焊或者扩融焊叠加焊接的方式制成,在两片金属材料直接形成冷却腔,前述焊接方式需要借助除基体外的过渡金属才能焊接,从而,此种静电吸盘容易存在焊接不实、金属间融不彻底的因素,静电吸盘使用时间久了之后,容易造成漏油,漏气的现象;并且,采用前述焊接方式,对于金属材料基体的表面光滑度要求也相对较高,制造成本高。
发明内容
鉴于存在以上问题,本发明提供了一种静电吸盘,包括相互配合安装的第一基体和第二基体,在所述第一基体与所述第二基体之间形成冷却腔;在所述第一基体与所述第二基体的配合安装处通过氩弧焊或离子束焊的方式连接,使得所述冷却腔形成密封腔体。
可选地,所述第一基体的配合安装面上设有电极,所述第二基体的配合安装面上对应设有过孔,所述电极穿过所述过孔,并在所述电极与过孔的安装配合处通过氩弧焊或离子束焊的方式连接。
可选地,所述电极与所述过孔之间为过盈配合或者过渡配合安装。
可选地,所述电极与所述过孔之间设置有第一密封圈。
可选地,所述第一基体的配合安装面延伸处一围合的第一凸台,所述第二基体的配合安装面上延伸出一围合的第二凸台,所述第二凸台嵌套安装入第一凸台围合的腔体内后形成冷却腔,并在所述第一凸台和所述第二凸台的嵌套安装处通过氩弧焊或离子束焊的方式连接。
可选地,所述第一凸台与所述第二凸台之间为过盈配合或者过渡配合嵌套。
可选地,所述第一凸台与所述第二凸台之间设置有第二密封圈。
可选地,所述第一凸台和第二凸台均呈圆形设置。
可选地,所述第二基体的配合安装面上还凸设有多条凸棱,所述凸棱位于所述冷却腔内,所述凸棱构成冷却气体流路和冷却液体流路,所述冷却气体流路和所述冷却液体流路之间互不相通。
可选地,所述冷却气体流路中流通的介质为惰性气体,所述冷却液体流路中流通的介质为水或硅油。
有益效果
本发明的有益效果是:第一基体与第二基体配合后,在两者的配合安装处采用氩弧焊或者离子束焊的方式将两者密封焊接,使得冷却腔形成密封腔体,从而充斥在冷却腔中的冷却气体或冷却液体不会泄露,并且可长时间处于这种密封状态,保证了该静电吸盘长时间的稳定性,并延长该静电吸盘的使用寿命。
此外,通过前述氩弧焊或者离子束焊的方式焊接,即使第一基体、第二基体的表面粗糙,也不影响该静电吸盘的制作,对于第一基体、第二基体的表面光滑度要求降低,从而减少了工艺制作成本。
附图说明
图1是本发明静电吸盘一实施例的装配连接示意图。
图2是图1中A-A的剖视图;
图3为本发明静电吸盘一实施例的另一视角装配连接示意图
图4为本发明静电吸盘一实施例的结构分解示意图;
图5为本发明静电吸盘一实施例的另一视角结构分解示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘国家,未经刘国家许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810979177.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





