[发明专利]一种声表芯片的封装方法和声表器件

权利要求书

1.一种声表芯片的封装方法，其特征在于，包括：

提供第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包围各所述第二区域；所述第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，所述第三区域包围各所述第四区域，所述第三区域中设置有至少一个内联导电端子，所述第四区域中设置有声表芯片，且所述声表芯片与所述内联导电端子电连接；

利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内，所述胶膜覆盖所述内联导电端子；

去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子；

在所述第一基板远离所述第二基板的一侧形成导电层，所述导电层与所述内联导电端子电连接；

在所述导电层远离所述第二基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括至少一个镂空区，所述镂空区露出至少部分所述导电层；

在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构；所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：

烘烤所述胶膜；

在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构之前还包括：

在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成过渡结构；

所述过渡结构的材料包括镍或镍金合金；所述导电层的材料包括铜；所述外联导电结构的材料包括锡。

2.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，所述利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合包括：

提供所述胶膜；

在所述第一基板的一侧贴附所述胶膜；

刻蚀所述第一基板的所述第二区域对应位置处的所述胶膜，保留所述第一区域对应位置处的所述胶膜；

在刻蚀后的所述胶膜远离所述第一基板的一侧贴附所述第二基板。

3.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：

调整所述胶膜的厚度为预设厚度值。

4.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，所述第一基板为硅片或玻璃片，所述胶膜包括双面胶。

5.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子包括：

采用硅通孔工艺去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子。

6.一种声表器件，采用权利要求1-5任一项所述的声表芯片的封装方法形成，其特征在于，包括：所述第一基板、所述胶膜、所述第二基板、所述导电层、所述绝缘层和所述外联导电结构；

所述第一基板的所述第一区域与所述第二基板的所述第三区域通过所述胶膜粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内；

所述导电层位于所述第一基板远离所述第二基板的一侧，并通过所述第一基板与所述胶膜内的过孔与所述第二基板的所述内联导电端子电连接；

所述绝缘层位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，所述绝缘层包括至少一个镂空区，在所述镂空区位置处，所述绝缘层未覆盖所述导电层；

所述外联导电结构位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，且在所述镂空区位置处与所述导电层电连接。

7.根据权利要求6所述的声表器件，其特征在于：还包括过渡结构；

所述过渡结构位于所述导电层与所述外联导电结构之间。