[发明专利]处理被处理体的方法

权利要求书

1.一种处理被处理体的方法，在该被处理体的表面设有多个孔，该方法的特征在于：

所述多个孔包括第一孔和孔宽大于所述第一孔的第二孔，令所述第二孔的孔宽与所述第一孔的孔宽之差为第一孔宽差，

所述方法包括第一流程，该第一流程包括：

在所述孔的内表面形成膜，形成在所述第一孔的内表面的膜的膜厚小于形成在所述第二孔的内表面的膜的膜厚的第一工序；和

各向同性地对形成在所述孔的内表面的膜进行蚀刻的第二工序，

令所述第二工序结束时的所述第二孔的孔宽与所述第一孔的孔宽之差为第二孔宽差时，所述第二孔宽差小于所述第一孔宽差，

所述第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，

所述膜含有硅。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

反复执行所述第一流程。

3.一种处理被处理体的方法，在该被处理体的表面设有多个孔，该方法的特征在于：

包括第一流程，该第一流程包括：

在所述孔的内表面形成膜的第一工序；和

各向同性地对所述膜进行蚀刻的第二工序，

所述第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，

所述膜含有硅，

所述第二工序反复执行包括第三工序、第四工序、第五工序和第六工序的第二流程，其中，

所述第三工序在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第一气体的等离子体，在所述孔的所述内表面的原子层各向同性地形成混合层，该混合层包含该第一气体的等离子体中所含的离子，

所述第四工序在执行所述第三工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，

所述第五工序在执行所述第四工序后，在所述处理容器内生成第二气体的等离子体，并利用该第二气体的等离子体中所包含的自由基除去所述混合层，

所述第六工序在执行所述第五工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，

所述第二工序通过反复执行所述第二流程，以逐次除去原子层的方式除去所述膜，来各向同性地对该膜进行蚀刻，

所述第一气体包含氮，

所述第二气体包含氟，

在所述第五工序中生成的所述第二气体的等离子体包含用于除去所述混合层的所述自由基，其中所述混合层包含硅的氮化物。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二气体为包含NF₃气体和O₂气体的混合气体。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二气体为包含NF₃气体、O₂气体、H₂气体和Ar气体的混合气体。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二气体为包含CH₃F气体、O₂气体和Ar气体的混合气体。

7.一种处理被处理体的方法，在该被处理体的表面设有多个孔，该方法的特征在于：

包括第一流程，该第一流程包括：

在所述孔的内表面形成膜的第一工序；和

各向同性地对所述膜进行蚀刻的第二工序，

所述第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，

所述膜含有硅，

所述膜包括第一膜和第二膜，

所述第一工序包括：

第一膜形成工序，在所述孔的内表面形成所述第一膜；和

第二膜形成工序，在所述第一膜上形成所述第二膜，

所述第一膜与所述第二膜相比，对所述第二工序中执行的蚀刻的耐蚀刻性较低。