[发明专利]一种柔性液晶面板的TFT阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810968116.2 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN108828863B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 石钰;陈兴武 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1337;H01L27/12
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;阳志全
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 液晶面板 tft 阵列 及其 制作方法
【说明书】:

本发明公开了一种柔性液晶面板的TFT阵列基板的制作方法,包括:在基板表面制备非晶硅层;在所述非晶硅层表面制备TFT阵列;清洁所述TFT阵列表面;在所述TFT阵列表面制作聚二甲基硅氧烷基板;用激光自所述基板背面照射所述TFT阵列,使所述TFT阵列与所述非晶硅层脱离;将所述TFT阵列粘结固定到柔性基板上;将所述TFT阵列上的所述聚二甲基硅氧烷基板朝向同一个方向剥离。本发明通过朝同一个方向剥离TFT阵列基板上的聚二甲基硅氧烷,使得残留在TFT阵列基板上的聚二甲基硅氧烷可以对液晶分子依需求的方向进行配向,无需再进行低温配向层的制作,简化了现有的制作步骤,克服了制作困难,适用于柔性液晶面板的生产工艺。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域,具体涉及一种柔性液晶面板的TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

柔性LCD(Liquid Crystal Display,液晶面板)的显示设备具有广泛的应用前景,但柔性LCD在制程上面临着诸多挑战。制作柔性LCD所面临的问题之一为需要将柔性LCD的组件制作在柔性基板上,但是现有的大部分柔性基板的材料均无法承受制程中的高温。结合现有技术,目前常用三种方法对此问题进行解决:一种方法是以有机材料替代无机材料制作TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板,同时将需要高温进行的蒸镀制程以涂布的方式替代;第二种是Philips公司开发的激光释放塑基电子技术,其基本思路为将柔性基板固定在刚性基板上进行传统的TFT阵列基板制作工艺,之后再利用激光分离刚性基板;另一种是Epson公司开发的激光退火表面释放技术,其思路为先将TFT阵列基板制作在刚性基板上,然后将其粘贴转印到柔性基板上。

其中激光退火表面释放技术由于是在玻璃上制备TFT阵列基板,使得许多玻璃化转变温度较低的塑料也可以作为柔性基板的备选材料。从柔性基板的性能提高,工艺简化以及成本控制上都有巨大的优势。

但在LCD生产工艺中,为了使得液晶有一致的取向并且在电压的控制下可以改变取向的方向,需要在灌注液晶前,在TFT阵列基板和彩膜基板上分别制备配向层。目前这一配向层主要采用的材料是聚酰亚胺,这类材料具备高信耐性,介电性能优异的特点,但这类材料的缺点是制备过程中一般需要200℃左右的高温来进行固化,而这一温度已超过了大部分塑料基板的玻璃化转变温度。因此,如果以激光退火表面释放技术来进行柔性LCD中TFT阵列基板的制作,则需要使用低温配向的工艺。

发明内容

本发明专利所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种柔性液晶面板无低温配向层却仍具有配向功能的TFT阵列基板的制作方法。

为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:

在一个总体方面,提供一种柔性液晶面板的TFT阵列基板的制作方法,包括:

S01、在基板表面制备非晶硅层;

S02、在所述非晶硅层表面制备TFT阵列;

S03、清洁所述TFT阵列表面;

S04、在所述TFT阵列表面制作聚二甲基硅氧烷基板;

S05、用激光自所述基板背面照射所述TFT阵列,使所述TFT阵列与所述非晶硅层脱离;

S06、将所述TFT阵列粘结固定到所述柔性基板上;

S07、将所述TFT阵列上的所述聚二甲基硅氧烷基板朝向同一个方向剥离。

优选的,清洁所述TFT阵列表面是通过氧气等离子体清洁的。

优选的,所述氧气等离子体的清洁功率为2-100kW/m2

优选的,将所述TFT阵列粘结固定到柔性基板上具体包括:先将粘结剂涂覆在所述柔性基板上,再将所述TFT阵列粘结固定到所述柔性基板上。

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