[发明专利]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

堆叠的第一芯片和第二芯片；

所述第一芯片和第二芯片均包括器件和接地线，所述第一芯片的接地线与第二芯片的接地线电连接；

所述第二芯片还包括用于进行信号传输的焊垫，所述焊垫与所述第二芯片的接地线电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片均还包括位于芯片表层的导电插塞，所述第一芯片、第二芯片中的导电插塞与其所在芯片的接地线电连接，所述第一芯片的导电插塞与第二芯片的导电插塞电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片均包括衬底和位于所述衬底上的若干层互连线，所述若干层互连线中的至少一层互连线作为所述接地线。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片中，其中之一为存储芯片、另一为外围电路芯片。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片的器件与第二芯片的器件电连接。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片的接地线和所述第二芯片的接地线之间还连接有电源嵌位电路。

7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述接地线均匀分布在其所属芯片的内部、四周或单边。

8.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述接地线的总宽度不小于5微米。

9.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片或第二芯片中的导电插塞的总数量不少于10。

10.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括用于保护半导体结构内部结构的封装体。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

若干堆叠的芯片，所述芯片均包括器件、电连接的接地线和用于进行信号传输的焊垫；

公共接地环，与所述芯片的焊垫电连接。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：包裹所述若干堆叠的芯片和公共接地环的封装体。

13.根据权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述接地线的总宽度不小于5微米。

14.根据权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片均包括衬底和位于所述衬底上的若干层互连线，所述若干层互连线中的至少一层互连线作为所述接地线。

15.根据权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片中，其中之一为存储芯片、另一为外围电路芯片。