[发明专利]一种去胶液及其制备方法与应用

说明书

本发明涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去胶液及其制备方法与应用。该去胶液包括醇胺化合物、无机碱、水溶性有机溶剂、海藻糖、苯并三唑、渗透剂和水，上述去胶液配方合理，不易挥发，能完全去除光刻胶且不会腐蚀半导体基材。其制备方法包括：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。该制备方法全程自动化，不会引入杂质和污染，将其用于去除半导体基材上的光刻胶及其残留物，能达到很好的去除效果，不会对半导体基材产生腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去胶液及其制备方法与应用。

背景技术

在半导体器件的制备过程需要涉及多次的光刻，光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、腐蚀和去胶等步骤，在去胶步骤中，目前最主要的方法是使用去胶液进行除胶，去胶液的要求是：能够完全去除光刻胶，但不能对半导体基材产生腐蚀。

目前，去胶液主要由极性有机溶剂、碱和水等组成，通过将半导体晶片浸入去胶液中或者利用去胶液冲洗半导体晶片，来达到去除半导体晶片上的光刻胶的目的。在满足去胶目的的同时，去胶的过程中产生的以下问题日益受到人们的关注，例如有机溶剂受热挥发、去胶液某些组分受热分解，严重污染工作环境不利于工作人员的健康。因此，探索一种能完全去除光刻胶、不会腐蚀半导体基材且不易挥发，对工人操作环境污染小的去胶液配方非常必要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去胶液，该去胶液配方合理，不易挥发，能完全去除光刻胶且不会腐蚀半导体基材。

本发明的第二目的在于提供一种上述去胶液的制备方法，该制备方法全程自动化，不会引入杂质和污染，能使去胶液具有较佳的作用效果。

本发明的第三目的在于提供一种上述去胶液的应用，将其用于去除光刻胶，能达到很好的去除效果，不会对半导体基材产生腐蚀。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现：

本发明提出一种去胶液，按质量百分数计，其包括以下组分：

进一步地，在本发明较佳实施例中，按质量百分数计，其包括以下组分：

进一步地，在本发明较佳实施例中，按质量百分数计，其包括以下组分：

进一步地，在本发明较佳实施例中，所述醇胺化合物选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的至少一种。在本发明的去胶液中，醇胺化合物中的OH^-能渗透至高分子材料制备的光刻胶内部从而促进光刻胶的溶解。

进一步地，在本发明较佳实施例中，所述无机碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。在本发明中，小量的无机碱对金属铜和铝的腐蚀性很小，将小量的无机碱与醇胺化合物配合使用，能对光刻胶起到较好的溶解作用。

进一步地，在本发明较佳实施例中，所述水溶性有机溶剂选自二甲基亚砜、环丁砜、γ-丁内酯和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。本发明的去胶液中，水溶性有机溶剂起到渗透至溶胀的光刻胶中而使光刻胶溶解的作用。

进一步地，在本发明较佳实施例中，所述渗透剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚和琥珀酸二辛酯磺酸钠中的至少一种。本发明中的去胶液中，渗透剂对光刻胶具有很强的渗透力，能够增强有机溶剂和碱性化合物在光刻胶中的渗透。

其中，海藻糖是由两个葡萄糖分子以1,1-糖苷键构成的非还原性糖，海藻糖易溶于水，是最稳定的二糖。苯并三唑，是白色到浅粉色针状结晶。能溶于多数有机溶剂和碱性水溶液，在电镀中用以表面纯化银、铜、锌，有防变色作用。同时，苯并三唑为良好的紫外光吸收剂。