[发明专利]一种去胶液及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种去胶液，其特征在于，按质量百分数计，其包括以下组分：

醇胺化合物 10.0%-35.0%；

无机碱 1.0%-2.0%；

水溶性有机溶剂 10.0%-30.0%；

海藻糖 0.1%-2.0%；

苯并三唑 0.1%-0.5%；

渗透剂 1.0%-5.0%；

余量为水；

所述渗透剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚和琥珀酸二辛酯磺酸钠中的至少一种；

所述醇胺化合物选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的至少一种；

所述水溶性有机溶剂选自二甲基亚砜、环丁砜、γ-丁内酯和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的去胶液，按质量百分数计，其包括以下组分：

醇胺化合物 15.0%-30.0%；

无机碱 1.2%-1.8%；

水溶性有机溶剂 15.0%-25.0%；

海藻糖 0.5%-1.5%；

苯并三唑 0.2%-0.4%；

渗透剂 2.0%-4.0%；

余量为水。

3.根据权利要求1所述的去胶液，按质量百分数计，其包括以下组分：

醇胺化合物 22.0%；

无机碱 1.5%；

水溶性有机溶剂 20%；

海藻糖 1.0%；

苯并三唑 0.3%；

渗透剂 3.0%；

余量为水。

4.根据权利要求1-3任一项所述的去胶液，其特征在于，所述无机碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。

5.权利要求1-4任一项所述去胶液的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。

6.权利要求书1-4任一项所述的去胶液在去除半导体基材上的光刻胶及其残留物的应用。