[发明专利]包含陶瓷烧结体的被动元件

说明书

本发明公开了陶瓷烧结体及包含其的被动元件。具体地，本发明提供一种陶瓷烧结体，其具有较佳的介电常数。在本发明的某些实施例中，该陶瓷烧结体包含一半导体陶瓷相分散于一介电陶瓷相中，其中该半导体陶瓷相及该介电常数相共同形成一逾渗复合体，且该半导体陶瓷相的体积分率接近且低于一逾渗阈值。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷烧结体(ceramic sintered body)及包含其的被动元件(passive component)，特别是一种具有较佳介电常数(dielectric constant)的陶瓷烧结体，及包含该陶瓷烧结体的被动元件。

背景技术

诸如电容器(capacitor)的被动元件通常由介电材料(dielectric material)制成。一般而言，电容器的电容(capacitance)与制成电容器的介电材料的介电常数有关。亦即，介电材料的介电常数较高使得电容器的电容较高。由于理想的电容器应具有较小的尺寸及较高的电容，故需要提供介电常数较高的材料。

发明内容

本发明提供一种被动元件，其包含具有较佳的介电常数的陶瓷烧结体，其中该被动元件为一电阻器、一电容器、一电感器或一变压器。

在本发明的某些实施例中，该陶瓷烧结体包含一半导体陶瓷相(semiconductorceramic phase)分散于一介电陶瓷相(dielectric ceramic phase)中，其中该半导体陶瓷相及该介电陶瓷相共同形成一逾渗复合体(percolative composite)，且该半导体陶瓷相的体积分率(volume fraction)接近且低于一逾渗阈值(percolation threshold)。

附图说明

图1示意性说明根据本发明的一些实施例的陶瓷烧结体的微观结构(microstructure)。图1中符号简单说明：11半导体陶瓷相；12介电陶瓷相。

图2展示实施例1的示意性制造流程。

图3A展示实施例1中的陶瓷烧结体的高角度环形暗场(high-angle annulardark-field，HAADF)图像。

图3B展示对实施例1的陶瓷烧结体中的Sr的STEM-EDX化学分析。

图3C展示对实施例1的陶瓷烧结体中的Ca的STEM-EDX化学分析。

图3D展示对实施例1的陶瓷烧结体中的Ti的STEM-EDX化学分析。

图3E展示对实施例1的陶瓷烧结体中的Zr的STEM-EDX化学分析。

图4A展示自实施例1的陶瓷烧结体中的第一陶瓷相(在STEM-EDX化学分析中呈现Sr、Ca及Ti的较亮的粒子)获得的选区电子绕射(selected area electron diffraction，SAED)图谱。

图4B展示自实施例1的陶瓷烧结体中的第二陶瓷相(在STEM-EDX化学分析中呈现Ti及Zr的较暗的粒子)获得的选区电子绕射(SAED)图谱。

图5展示实施例1中的陶瓷烧结体的X光绕射(x-ray diffraction，XRD)图谱。

图6A展示实施例1中的陶瓷烧结体在几种不同再氧化条件(re-oxidationconditions)下的相对介电常数(relative dielectric constant)。

图6B展示实施例1中的陶瓷烧结体在几种不同再氧化条件下的介电损耗(dielectric loss)。

图6C展示实施例1中的陶瓷烧结体在几种不同再氧化条件下的电阻率(resistivity)。

图7展示实施例2的示意性制造流程。