[发明专利]包含陶瓷烧结体的被动元件有效
| 申请号： | 201810946967.7 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109721355B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 藤本正之 | 申请（专利权）人： | 国巨股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634;C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张铮铮;陈万青 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 陶瓷 烧结 被动 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种被动元件，包含一陶瓷烧结体，其中该被动元件为一电阻器、一电容器、一电感器或一变压器，该陶瓷烧结体包含一半导体陶瓷相分散于一介电陶瓷相，该陶瓷烧结体以1100℃至1500℃的烧结温度制得，其中该介电陶瓷相的材料选自：CaZrTi2O7、CaZrO3、SrZrO3、BaZrO3、TiO2、ZrO2及其固体溶液，该介电陶瓷相的尺寸为0.1微米至5微米，该半导体陶瓷相的材料选自钙钛矿材料及还原的TiO2金红石，该半导体陶瓷相的尺寸为0.1微米至5微米，该半导体陶瓷相及该介电陶瓷相共同形成一逾渗复合体，且该半导体陶瓷相的体积分率为逾渗阈值的0.999倍至0.33倍。
2.根据权利要求1所述的被动元件，其中该半导体陶瓷相的体积分率低于该逾渗阈值0.05%至20%。
3.根据权利要求1所述的被动元件，其中该钙钛矿材料选自：钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙、钛酸镍、钛酸锰、钛酸钴、钛酸铜、钛酸镁及其化合物。
4.根据权利要求1所述的被动元件，其中该半导体陶瓷相掺杂一添加剂。
5.根据权利要求4所述的被动元件，其中该添加剂为施体型添加剂，其选自钇、铌及镧。
6.根据权利要求1所述的被动元件，其中该介电陶瓷相掺杂一添加剂。
7.根据权利要求6所述的被动元件，其中该添加剂为受体型添加剂，其选自钒、铌、铬、锰化合物、镁化合物、硅酸盐化合物及氧化铝化合物。
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