[发明专利]电路结构及其制作方法有效
申请号: | 201810945103.3 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN110620112B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 杨金成;黄启豪;王魏鸿 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种电路结构,包括:
多条第一导电线,在第一方向上延伸,所述第一导电线在与所述第一方向正交的第二方向上具有第一节距;
多条连接线,在所述第二方向上延伸,所述连接线在所述第一方向上具有第二节距,所述第二节距大于所述第一节距;以及
多个连接结构,连接相应的所述第一导电线以使电流流动至相应的连接线,所述连接结构各自包括在所述第一方向上延伸的多个区段,所述多个区段中的区段在所述第二方向上相对于所述多个区段中的相邻区段具有过渡节距,所述过渡节距大于或等于所述第一节距且小于所述第二节距。
2.如权利要求1所述的电路结构,所述多个区段中的所述区段具有多个节距,其中所述多个节距中位于所述连接线的近端的两个区段之间的所述过渡节距大于所述多个节距中位于所述第一导电线的近端的两个区段之间的所述过渡节距。
3.如权利要求2所述的电路结构,其中所述多个节距中的所述节距随着所述多个区段中的所述区段远离所述第一导电线的距离而增大。
4.如权利要求1所述的电路结构,其中所述多个连接结构中的所述连接结构在所述第一方向上具有连接结构节距,且所述多个区段中的所述区段的长度延伸至超过所述连接结构节距的一半。
5.如权利要求1所述的电路结构,所述多个连接结构中的相邻连接结构在所述第二方向上的偏移距离为所述第一节距的两倍,且所述多条第一导电线中的相邻第一导电线对在所述多个连接结构中的相应的相邻连接结构处终结。
6.如权利要求1所述的电路结构,其中所述多个区段中的所述区段各自具有第一端及在所述第一方向上与所述第一端相对的第二端,且所述多个区段包括第一组多对区段及第二组多对区段,所述第一组多对区段各自在所述第一端处通过在所述第二方向上延伸的相应的第一区段进行连接,且所述第二组多对区段各自在所述第二端处通过在所述第二方向上延伸的相应的第二区段进行连接,所述第一组多对区段在所述第二方向上与所述第二组多对区段互相交错。
7.如权利要求1所述的电路结构,其中所述多个区段中的所述区段各自具有第一端及在所述第一方向上与所述第一端相对的第二端,且所述多个区段包括至少一对区段,所述至少一对区段在所述第一端处通过在所述第二方向上延伸的第一区段进行连接且在所述第二端处通过在所述第二方向上延伸的第二区段进行连接。
8.如权利要求1所述的电路结构,其中所述多个区段中的所述区段各自具有第一端及在所述第一方向上与所述第一端相对的第二端,且所述多个区段包括第一组多对区段及第二组多对区段,所述第一组多对区段在所述第二端处对准且各自在所述第一端处通过在所述第二方向上延伸的相应的第一区段进行连接,所述第二组多对区段在所述第一端处对准且各自在所述第二端处通过在所述第二方向上延伸的相应的第二区段进行连接,在所述第二方向上延伸的所述第一区段与所述第二区段不在所述第一方向上对准。
9.如权利要求8所述的电路结构,其中所述多个连接结构中的所述连接结构在所述第一方向上相对于所述多个连接结构中的相邻连接结构具有连接结构节距,所述第一组多对区段中的第一对区段的第一长度与所述第二组多对区段中在所述第二方向上和所述第一对区段对准的第二对区段的第二长度之和延伸至超过所述连接结构节距的一半。
10.如权利要求1所述的电路结构,包括:
多个存储单元区块,所述多个存储单元区块中的存储单元区块包括被配置成相应局部字线的所述第一导电线;
多个扇出型结构,所述多个扇出型结构中的扇出型结构包括相应的连接结构及相应的连接线;
多个搭接接垫,所述多个搭接接垫中的搭接接垫连接至相应的连接线;以及
多个全局字线,所述多个全局字线中的全局字线连接至相应的所述搭接接垫。
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