[发明专利]掩膜结构

说明书

本公开提出一种掩膜结构，包括掩膜框架及固定于掩膜框架表面的对位掩膜板。其中，掩膜框架的表面开设有槽孔。槽孔的孔口设有盖片，盖片封闭槽孔且与对位掩膜板相贴合。盖片界定第一贯通区域，第一贯通区域内开设有第一对位通孔和多个第一辅助通孔。对位掩膜板在对应于槽孔孔口的第二贯通区域内开设有第二对位通孔和多个第二辅助通孔，第二对位通孔与第一对位通孔相贯通，各第二辅助通孔在盖片上的投影与各第一辅助通孔均不重叠。

技术领域

本公开涉及OLED器件技术领域，尤其涉及一种用于OLED器件蒸镀工艺的掩膜结构。

背景技术

在OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)技术中，通常采用掩膜板并通过蒸镀工艺制作各子像素单元，金属掩膜板像素单元开口与衬底基板上相应像素电极位置的对应程度决定着蒸镀产品的品质，如果掩膜板像素单元开口与衬底基板上相应像素电极位置偏移较大会引起产品混色等不良问题，所以掩膜板与衬底基板的精确对位是确保蒸镀工艺的关键。

发明内容

本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种改善掩模组件对位孔区域的清洗效果及蒸镀对位效果，且杜绝清洗过程中药液残留问题的掩膜结构。

为实现上述目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的一个方面，提供一种掩膜结构，包括掩膜框架及固定于所述掩膜框架表面的对位掩膜板。其中，所述掩膜框架的表面开设有槽孔。所述槽孔的孔口设有盖片，所述盖片封闭所述槽孔且与所述对位掩膜板相贴合。所述盖片界定第一贯通区域，所述第一贯通区域内开设有第一对位通孔和多个第一辅助通孔。所述对位掩膜板在对应于所述槽孔孔口的第二贯通区域内开设有第二对位通孔和多个第二辅助通孔，所述第二对位通孔与所述第一对位通孔相贯通。

根据本公开的其中一个实施方式，所述槽孔包括第一孔道和第二孔道，所述第一孔道开口于所述掩膜框架的表面且呈柱型结构，所述第二孔道连通于所述第一孔道且呈锥型结构。

根据本公开的其中一个实施方式，所述槽孔的孔径为5mm～7mm，且所述槽孔的孔深为2mm～4mm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述盖片的材质与所述掩膜框架相同；和/或，所述盖片的厚度为10μm～50μm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一对位通孔偏离于所述槽孔的中心线轨迹。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一对位通孔的孔径大于所述第一辅助通孔的孔径。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一对位通孔的孔径为0.5mm～0.7mm，所述第一辅助通孔的孔径为0.1mm～0.5mm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一对位通孔与相距最近的所述第一辅助通孔的孔壁之间的最小距离为0.1mm～0.25mm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第二对位通孔的孔径大于所述第二辅助通孔的孔径。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第二对位通孔的孔径为0.4mm～0.6mm，所述第二辅助通孔的孔径为0.1mm～0.5mm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第二对位通孔与相距最近的所述第二辅助通孔的孔壁之间的最小距离为0.1mm～0.25mm。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一对位通孔的孔径大于所述第二对位通孔的孔径。

根据本公开的其中一个实施方式，各所述第二辅助通孔在所述盖片上的投影与各所述第一辅助通孔在所述盖片上的投影均不重叠。

根据本公开的其中一个实施方式，所述第一辅助通孔的孔径大于所述第二辅助通孔的孔径。