[发明专利]掩膜结构有效

专利信息
申请号: 201810941863.7 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN108611600B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 戚海平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 阚梓瑄;王卫忠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 膜结构
【权利要求书】:

1.一种掩膜结构,包括掩膜框架及固定于所述掩膜框架表面的对位掩膜板;

其特征在于:

所述掩膜框架的表面开设有槽孔;

所述槽孔的孔口设有盖片,所述盖片封闭所述槽孔且与所述对位掩膜板相贴合;

所述盖片界定第一贯通区域,所述第一贯通区域内开设有第一对位通孔和多个第一辅助通孔,所述第一对位通孔偏离于所述槽孔的中心线轨迹;

所述对位掩膜板在对应于所述槽孔孔口的第二贯通区域内开设有第二对位通孔和多个第二辅助通孔,所述第二对位通孔与所述第一对位通孔相贯通,各所述第二辅助通孔在所述盖片上的投影与各所述第一辅助通孔在所述盖片上的投影均不重叠。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述槽孔包括第一孔道和第二孔道,所述第一孔道开口于所述掩膜框架的表面且呈柱型结构,所述第二孔道连通于所述第一孔道且呈锥型结构。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述槽孔的孔径为5mm~7mm,且所述槽孔的孔深为2mm~4mm。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述盖片的材质与所述掩膜框架相同;和/或,所述盖片的厚度为10μm~50μm。

5.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一对位通孔的孔径大于所述第一辅助通孔的孔径。

6.根据权利要求5所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一对位通孔的孔径为0.5mm~0.7mm,所述第一辅助通孔的孔径为0.1mm~0.5mm。

7.根据权利要求6所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一对位通孔与相距最近的所述第一辅助通孔的孔壁之间的最小距离为0.1mm~0.25mm。

8.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述第二对位通孔的孔径大于所述第二辅助通孔的孔径。

9.根据权利要求8所述的掩膜结构,其特征在于,所述第二对位通孔的孔径为0.4mm~0.6mm,所述第二辅助通孔的孔径为0.1mm~0.5mm。

10.根据权利要求9所述的掩膜结构,其特征在于,所述第二对位通孔与相距最近的所述第二辅助通孔的孔壁之间的最小距离为0.1mm~0.25mm。

11.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一对位通孔的孔径大于所述第二对位通孔的孔径。

12.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一辅助通孔的孔径大于所述第二辅助通孔的孔径。

13.根据权利要求12所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一辅助通孔的孔径为所述第二辅助通孔的孔径的1.2倍~3.0倍。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810941863.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top