[发明专利]一种影像传感芯片的封装方法及封装结构有效
申请号: | 201810940894.0 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109103208B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 影像 传感 芯片 封装 方法 结构 | ||
本申请公开了一种影像传感芯片的封装方法及封装结构,其中,所述影像传感芯片的封装方法在进行透光盖板和衬底的粘接过程中,使得透光盖板的第一粘接膜层完全感光区和非感光区,使得透光盖板和影像传感芯片之间形成了无空腔的结构,保证了透光盖板和影像传感芯片之间具有足够的粘接强度,从而在后续单颗影像传感芯片和基板进行注塑工艺,形成塑封层的过程中,由于透光盖板和影像传感芯片之间的粘接强度较强,无需进行多次的注塑工艺,可以直接一次性形成塑封层,不仅简化了塑封层的形成工序,而且无需将第一粘接膜层仅仅控制在感光区周缘,降低了影像传感芯片和透光盖板的粘接精度,进而降低了影像传感芯片的封装难度。
技术领域
本申请涉及光学探测装置技术领域,更具体地说,涉及一种影像传感芯片的封装方法及封装结构。
背景技术
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换为电信号的电子器件。影像传感芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作。在影像传感芯片制作完成后,再通过对影像传感芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构,以用于诸如数码相机、数码摄像机等的电子设备中。
在对影像传感芯片进行封装时,需要将影像传感芯片与透光盖板先进行粘接,然后进行打线和塑封等工艺,以实现对影像传感芯片的封装,提升影像传感芯片的防水防尘性能。但受限于封装结构及其形成工艺的限制,现有技术中的塑封层需要进行多次的注塑工艺,不仅工序较为复杂,而且对于影像传感芯片和透光盖板的粘接精度要求较高,使得影像传感芯片的封装难度较高。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请提供了一种影像传感芯片的封装方法及封装结构,以实现简化塑封层的形成工序,并且降低对于影像传感芯片和透光盖板的粘接精度的目的,从而降低影像传感芯片的封装难度。
为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装方法,包括:
提供衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面包括多个阵列排布的功能区和位于相邻功能区之间的切割道,所述功能区上形成有影像传感芯片,所述影像传感芯片包括感光区和包围所述感光区的非感光区,所述非感光区上设置有第一焊垫;
提供透光盖板,所述透光盖板一侧具有第一粘接膜层;
利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底,所述第一粘接膜层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光区和所述非感光区在所述衬底上的正投影;
对所述透光盖板进行处理,以至少部分暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫;
沿所述切割道对所述衬底进行切割,以获得单颗影像传感芯片;
提供基板,将所述基板与所述影像传感芯片的衬底的第二表面贴合,所述基板上设置有第二焊垫;
对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接,将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接;
进行注塑工艺形成塑封层,所述塑封层包覆所述影像传感芯片并暴露所述透明盖板的顶表面。
可选的,所述对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接,将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接包括:
对所述基板与所述影像传感芯片进行打线处理,以形成连接所述第一焊垫与所述第二焊垫的金属线。
可选的,所述利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底之前还包括:
形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层。
可选的,所述感光区上设置有多个微透镜;
所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括:
形成覆盖所述感光区,且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的